Выполнен анализ одного из современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов и alpha-частиц, осуществляемого путем контролируемого введения в полупроводник радиационных дефектов. Показано, что легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении легкими ионами открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов опто-, микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования --- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Ю.Л. Нуров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Наука, 1990)
И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова и В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1997) ch.2, p. 17
Н.Б. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы (М., Вузовская книга, 1998).
Surface Modification and Alloying by Laser, Ion, and Electron Beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N.Y., Plenum Press, 1983) [ Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, перевод под ред. А.А. Углова (М., Машиностроение, 1987)]
Interaction of charged particles with solids and surfaces, ed. by A. Gras-Marti, H.M. Urbassek, N.R. Arista and F. Flores (N.Y., Plenum Press, 1991) [ Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом, перевод под ред. А.А. Писарева, В.В. Плетнева, В.Е. Юрасовой (М., Высшая шк., 1994)]
S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, 1992)
Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.J. Pankove, N.M. Johnson (Boston, Academic, 1991)
Hydrogen in Compound Semiconductors, ed. by S.J. Pearton (Trans. Tech. Aedermannsdorf, 1994)
В.В. Козловский, Л.Ф. Захаренков, Б.А. Шустров. ФТП, 26, 3 (1992)
В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
V.V. Kozlovskii, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 75 (1996)
J. Lindhard, M. Scharff, H. Schiett. Kgl. Danske. Vid. Selskab. Mat. Fys. Medd., 33, 3 (1963)
E.W. Maby. J. Appl. Phys., 47, 830 (1976)
B. Schwartz, L.A. Koszi, P.J. Anthony, R.L. Hartman. J. Electrochem. Soc., 131, 1703 (1984)
I.P. Donelly, F.I. Leonberger. Sol. St. Electron., 20, 183 (1977)
H.A. Jenkinson, M. O'Tooni, J.M. Zavada, T.J. Hear, D.G. Larson. Ion Implantation and Ion Beam Proc. Mater. Symp. (N.Y., 1984) p. 377
D.V. Lang. In: Radiation Effects in Semiconductors. [Inst. Phys. Conf. Ser. (London--Bristol, 1977) N 31, p. 70]. [Д. Ланг. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 187.]
D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. (a), 102, 499 (1987)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
H. Zillgen, P. Ehrhart. Mater. Sci. Forum, 258--263, 503 (1997)
D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 34, 4048 (1986)
G. Guillot, A. Nouailhat, G. Vincent, M.Baldy, A. Chantre. Rev. Phys. Appl. 15, 679 (1980)
P.N. Brunkov, V.S. Kalinovsky, V.G. Nikitin, M.M. Sobolev. Semicond. Sci. Technol., 7, 1237 (1992)
Е.В. Вавилов, Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Я.Я. Пилькевич, С.И. Пономарев. Известия вузов. Физика, 32, 110 (1989)
В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 24, 1123 (1990)
В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 25, 267 (1991)
В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 25, 545 (1991)
Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Я.Я. Пилькевич. Изв. АН СССР. Неогр. матер., 26, 1145 (1990)
В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 25, 1169 (1991)
V.V. Kozlovski, T.I. Kolchenko, V.M. Lomako, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)
В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, А.Э. Васильев. Поверхность, N 5--6, 65 (1999)
В.В. Пешев, С.В. Смородинов. ФТП, 31, 1234 (1997)
D. Pons, A. Mircea, J. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 4150 (1980)
Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (экспериментальные аспекты) (М., Мир, 1985) [J. Bourgoin, M. Lannoo. Point Defects in Semiconductors II, Experimental Aspects, ed. by M. Cardona (N.Y., Springer, 1983)]
Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 22, 740 (1988)
A. Sibille, J.C. Bourgoin. Appl. Phys. Lett., 41, 956 (1982)
А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 17, 1771 (1983)
В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5, 176 (1971)
J.C. Farmer, D.C. Look. J. Appl. Phys., 50, 2970 (1979)
H. James, K. Lark-Horowitz. Z. Phys. Chem., 198, 107 (1951)
D.C. Look, J.P. Sizelove. J. Appl. Phys., 62, 3660 (1987)
H. Matsumura, K.G. Stephens. J. Appl. Phys., 48, 2779 (1977)
I.P. Donelly, C.E. Hurwitz. Sol. St. Electron., 22, 727 (1977)
V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov. Sol. St. Commun., 34, 117 (1980)
V.N. Brudnyi, S.N. Grynaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
А.И. Потапов. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 1999)
Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский. ФТП, 27, 349 (1993)
J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. J. Appl. Phys., 81, 650 (1997)
J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. J. Appl. Phys., 84, 4757 (1998)
J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Rad. Eff. Def. Sol., 147, 109 (1998)
I. Danilov, J.P. de Souza, H. Boudinov, A.V. Murel, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 75, 1917 (1999)
J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Appl. Phys. Lett., 68, 535 (1996)
J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., B122, 51 (1997)
V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovski, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Shmidt, A.N. Smirnov, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
C. Uzan-Saguy, J. Salzman, R. Kalish, V. Richter, U. Tish, S. Zamir, S. Prawer. Appl. Phys. Lett., 74, 2441 (1999)
S.C. Binari, H.B. Dietrich, G. Kelner, L.B. Rowland, K. Doverspike, D.K. Wickenden. J. Appl. Phys., 78, 3008 (1995)
P.N. Favennec, D. Diguet. Appl. Phys. Lett., 23, 546 (1973)
K. Steeples, G. Dearnaley, A.M. Stoneham. Appl. Phys. Lett., 36, 981 (1980)
H.H. Tan, J.S. Williams, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 78, 1481 (1995)
K. Wohlleben, W. Beck. Z. Naturforsh., b. 21a, 1057 (1966)
A.G. Foyt, W.T. Kindley, C.M. Wolfe, J.P. Donelly. Sol. St. Electron., 12, 209 (1969)
R.A. Murphy, W.T. Lindley, D.F. Peterson. Proc. Symp. on GaAs (1972): Gallium Arsenide and Related compounds (London--Bristol, 1973) p. 224
J.D. Speight, P. Leigh, N. McIntyre, I.S. Groves, S.O. O'Hara, P. Hemment. Electron. Lett., 10, 98 (1974)
B.R. Pruniaux, J.C. North, A.V. Payer. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 672 (1972)
В.В. Козловский, И.А. Козловская, Ю.А. Лифшиц, В.М. Марахонов. Письма ЖТФ, 20, 5 (1994)
V.B. Cmill, A.V. Chuntonov, S.S. Khludkov, A.V. Koretsky, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. J. Phys. D.: Appl. Phys., 28, 559 (1995)
S.S. Khludkov, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A395, 132 (1997)
S.J. Pearton. Mater. Sci. Rep., 4, 313 (1990)
K.T. Short, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 135, 2835 (1988)
В.В. Козловский, И.А. Козловская, С.И. Пономарев. Письма ЖТФ, 20, 1 (1994)
R.J. Fu, C.J. Hwang, C.S. Wange. Appl. Phys. Lett., 45, 716 (1984)
J.C. Dyment, L.A. D'Asaro, J.C. North, B. Miller, J.F. Ripper. Proc. IEEE, 60, 726 (1972)
J.J. Hsieh, J.A. Rossi, J.P. Donnelly. Appl. Phys. Lett., 28, 709 (1976)
V.O. Naidenov. In: Int. School of Physics "Enrico Fermi", ed. by E. Bussoletti, G. Strazzula (North--Holland, Amsterdam, 1991) p. 371
B. Zhang, M. Yi, J. Song, D. Gao, N. Zhu, R. Wu, W. Wang. Japan. J. Appl. Phys., 38, pt 1, 6729 (1999)
Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, 170, 143 (2000)
L. Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 2167 (1992)
A. Hallen, N. Keskitalo, F. Masszi, V. Nagl. J. Appl. Phys., 79, 3906 (1996)
K. Irmscher, H. Klose, L. Maass. J. Phys. C, 17, 6317 (1984)
A. Hallen, B.U.R. Sundgvist, Z. Paska, B.G. Svensson, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990)
W. Wondrak, K. Bethge, D. Silber. J. Appl. Phys., 62, 3464 (1987)
W. Wondrak, D. Silber. Physica, BC129, 322 (1985)
P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Phenomena, 69--70, 545 (1999)
P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, 1041 (1986)
А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, В.Б. Шуман. ФТП, 32, 359 (1998)
H. Kauppinen, C. Corbel, K. Skog, K. Saarinen, T. Laine, P. Hautojarvi, P. Desgardin, E. Ntsoenzok. Phys. Rev. B, 55, 9598 (1997)
V. Eremin, A. Ivanov, E. Verbitskaya, Z. Li, S.U. Pundey. Nucl. Instr. Meth., A426, 120 (1999)
А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт N 1342 ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1989)
J. Lutz, W. Sudkamp, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 42, 931 (1998)
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 31, 299 (1997) [E.M. Verbitskaja, V.K. Eremin, A.M. Ivanov, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 31, 189 (1997)]
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 27, 1136 (1993) [E.M. Verbitskaja, V.K. Eremin, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 27, 1207 (1993)]
A.O. Evwaraye, B.J. Baliga. J. Electrochem. Soc., 124, 913 (1977)
R. Laiho, L.S. Vlasenko, M.P. Vlasenko, V.A. Kozlov, V.V. Kozlovski. Appl. Phys. Lett., 74, 3948 (1999)
Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa. Sol. St. Commun., 11, 263 (1972)
Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica, B170, 155 (1991)
V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 196--201, 945 (1995)
B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, S. Zhtakmoldin, V.V. Frolov. Phys. St. Sol. (a), 91, 509 (1985)
R. Job, J.A. Weima, G. Grabosch, D. Borchert, W.R. Fahrner, V. Raiko, A.G. Ulyashin. Sol. St. Phenomena, 69--70, 551 (1999)
J. Reisinger, L. Palmetshofer. Appl. Phys. Lett., 59, 3583 (1991)
P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Electron., 37, 127 (1994)
J. Vobecky, P. Hazdra, J. Voves, F. Spurny, J. Homola. Proc. ISPSD-94 (Davos, 1994) p. 265
В.А. Козлов, И.В. Грехов. Тез. докл. VI Межнац. сов. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1996) с. 140
A.F. Kardo-Sysoev, V.I. Brylevsky, Y.S. Lelikov, I.A. Smirnova, S.V. Zazulin, I.G. Tchashnicov, V.I. Scherbak, B.I. Sukhovetsky. Abstracts UWB'99 Conf. (Washington DC, 1999) p. 4
И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Шендерей. А. с. N 95109009/20 (1997)
J. Bartko, K.N. Sun. US Patent 4056408 (1977)
В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, В.А. Козлов, В.О. Найденов. ЖТФ, 57, 1925 (1987)
В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, Е.М. Гейфман, В.А. Козлов, В.О. Найденов. А. с. N 1533569 (1988)
I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, S.V. Korotkov, A.G. Andreev, I.V. Eremin, V.V. Chibirkin. Abstracts 12th Int. Conf. "Beams'98" (Haifa, 1998) p. 443
И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, И.В. Еремин, А.Г. Андреев. Изв. РАН. Энергетика, N 4, 106 (1996)
B. Thomas, D. Silber, H. Berg, M. Tscharn. Proc. Industry Applications Soc. Ann. Meeting. IEEE-IAS-1985 (1985) p. 882
A. Hallen, M. Bakowski. Sol. St. Electron., 32, 1033 (1989)
В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, В.А. Козлов, Э.И. Куузик, В.М. Рухамкин, А.В. Свирин. Электротехника, N 6, 58 (1991)
V.A. Kozlov, I.V. Grekhov, I.V. Eremin, S.V. Shenderey. Abstracts 12th Int. Conf. "Beams'98" (Haifa, 1998) p. 398
J. Li, K.W. Jones, J.H. Coleman, J. Yi, R. Wallace, W.A. Anderson. Mater Res. Soc. Proc., 396, 745 (1996)
A.M. Strelchuk, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Soloviev, M.G. Rastegaeva. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 147, 74 (1999)
A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
К.А. Валиев. Тез. докл. Всеросс. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. Л1-1
К.А. Валиев, А.А. Орликовский. Электроника: наука, технология, бизнес, N 5--6, 3 (1996); Электроника: наука, технология, бизнес, N 1, 3 (1997)
В.В. Козловский, В.А. Козлов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. 01-4
K.D. Hobart, F.J. Kub, G.G. Jernigan, M.E. Twing, P.E. Thompson. Electron. Lett., 34, 1265 (1998)
V.V. Kozlovskii, V.A. Kozlov. Conf. Abstr. of NATO Advanced Research Workshop on SOI (Kyev, 1998) p. 94
V.K. Smirnov, A.B. Danilin. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 315]
Y. Omura. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 257]
J. Weber. In: Proc. 24 Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Jerusalem, 1998) p. 209
T. Sadox, K. Tsukamoto, A. Baba, D. Bai, A. Kenjo, T. Tsirushima, H. Mori, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 82, 3828 (1997)
Y. Kamiura, M. Hayashi, Y. Nishiyama, S. Ohyama, Y. Yamashita. Japan. J. Appl. Phys., 36, 6579 (1997)
I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. J. Appl. Phys., 83, 814 (1998)
I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. Superlatt. Microstruct., 27, 437 (2000)
N. Achtziger, J. Crillenberger, W. Witthuhn, M.K. Linnarson, M. Janson, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 73, 945 (1998)
П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова. ФТП, 31, 1404 (1997) [P.A. Ivanov, O.I. Kon'kov, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova. Semiconductors, 31, 1212 (1997)]
P. Gluche, A. Aleksov, A. Vescan, W. Ebert, E. Kohn. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 547 (1997)
V.A. Kagadei, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2556 (1998)
В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. Р1-49.