"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и alpha-частицами О б з о р
Козлов В.А.1, Козловский В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Выполнен анализ одного из современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов и alpha-частиц, осуществляемого путем контролируемого введения в полупроводник радиационных дефектов. Показано, что легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении легкими ионами открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов опто-, микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования --- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  • В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Ю.Л. Нуров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Наука, 1990)
  • И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова и В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
  • L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1997) ch.2, p. 17
  • Н.Б. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы (М., Вузовская книга, 1998).
  • Surface Modification and Alloying by Laser, Ion, and Electron Beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N.Y., Plenum Press, 1983) [ Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, перевод под ред. А.А. Углова (М., Машиностроение, 1987)]
  • Interaction of charged particles with solids and surfaces, ed. by A. Gras-Marti, H.M. Urbassek, N.R. Arista and F. Flores (N.Y., Plenum Press, 1991) [ Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом, перевод под ред. А.А. Писарева, В.В. Плетнева, В.Е. Юрасовой (М., Высшая шк., 1994)]
  • S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, 1992)
  • Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.J. Pankove, N.M. Johnson (Boston, Academic, 1991)
  • Hydrogen in Compound Semiconductors, ed. by S.J. Pearton (Trans. Tech. Aedermannsdorf, 1994)
  • В.В. Козловский, Л.Ф. Захаренков, Б.А. Шустров. ФТП, 26, 3 (1992)
  • В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
  • V.V. Kozlovskii, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 75 (1996)
  • J. Lindhard, M. Scharff, H. Schiett. Kgl. Danske. Vid. Selskab. Mat. Fys. Medd., 33, 3 (1963)
  • E.W. Maby. J. Appl. Phys., 47, 830 (1976)
  • B. Schwartz, L.A. Koszi, P.J. Anthony, R.L. Hartman. J. Electrochem. Soc., 131, 1703 (1984)
  • I.P. Donelly, F.I. Leonberger. Sol. St. Electron., 20, 183 (1977)
  • H.A. Jenkinson, M. O'Tooni, J.M. Zavada, T.J. Hear, D.G. Larson. Ion Implantation and Ion Beam Proc. Mater. Symp. (N.Y., 1984) p. 377
  • D.V. Lang. In: Radiation Effects in Semiconductors. [Inst. Phys. Conf. Ser. (London--Bristol, 1977) N 31, p. 70]. [Д. Ланг. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 187.]
  • D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
  • J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
  • J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. (a), 102, 499 (1987)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  • H. Zillgen, P. Ehrhart. Mater. Sci. Forum, 258--263, 503 (1997)
  • D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 34, 4048 (1986)
  • G. Guillot, A. Nouailhat, G. Vincent, M.Baldy, A. Chantre. Rev. Phys. Appl. 15, 679 (1980)
  • P.N. Brunkov, V.S. Kalinovsky, V.G. Nikitin, M.M. Sobolev. Semicond. Sci. Technol., 7, 1237 (1992)
  • Е.В. Вавилов, Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Я.Я. Пилькевич, С.И. Пономарев. Известия вузов. Физика, 32, 110 (1989)
  • В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 24, 1123 (1990)
  • В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 25, 267 (1991)
  • В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 25, 545 (1991)
  • Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Я.Я. Пилькевич. Изв. АН СССР. Неогр. матер., 26, 1145 (1990)
  • В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 25, 1169 (1991)
  • V.V. Kozlovski, T.I. Kolchenko, V.M. Lomako, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)
  • В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, А.Э. Васильев. Поверхность, N 5--6, 65 (1999)
  • В.В. Пешев, С.В. Смородинов. ФТП, 31, 1234 (1997)
  • D. Pons, A. Mircea, J. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 4150 (1980)
  • Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (экспериментальные аспекты) (М., Мир, 1985) [J. Bourgoin, M. Lannoo. Point Defects in Semiconductors II, Experimental Aspects, ed. by M. Cardona (N.Y., Springer, 1983)]
  • Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 22, 740 (1988)
  • A. Sibille, J.C. Bourgoin. Appl. Phys. Lett., 41, 956 (1982)
  • А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 17, 1771 (1983)
  • В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5, 176 (1971)
  • J.C. Farmer, D.C. Look. J. Appl. Phys., 50, 2970 (1979)
  • H. James, K. Lark-Horowitz. Z. Phys. Chem., 198, 107 (1951)
  • D.C. Look, J.P. Sizelove. J. Appl. Phys., 62, 3660 (1987)
  • H. Matsumura, K.G. Stephens. J. Appl. Phys., 48, 2779 (1977)
  • I.P. Donelly, C.E. Hurwitz. Sol. St. Electron., 22, 727 (1977)
  • V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov. Sol. St. Commun., 34, 117 (1980)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grynaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  • А.И. Потапов. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 1999)
  • Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский. ФТП, 27, 349 (1993)
  • J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. J. Appl. Phys., 81, 650 (1997)
  • J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. J. Appl. Phys., 84, 4757 (1998)
  • J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Rad. Eff. Def. Sol., 147, 109 (1998)
  • I. Danilov, J.P. de Souza, H. Boudinov, A.V. Murel, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 75, 1917 (1999)
  • J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Appl. Phys. Lett., 68, 535 (1996)
  • J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., B122, 51 (1997)
  • V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovski, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Shmidt, A.N. Smirnov, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
  • C. Uzan-Saguy, J. Salzman, R. Kalish, V. Richter, U. Tish, S. Zamir, S. Prawer. Appl. Phys. Lett., 74, 2441 (1999)
  • S.C. Binari, H.B. Dietrich, G. Kelner, L.B. Rowland, K. Doverspike, D.K. Wickenden. J. Appl. Phys., 78, 3008 (1995)
  • P.N. Favennec, D. Diguet. Appl. Phys. Lett., 23, 546 (1973)
  • K. Steeples, G. Dearnaley, A.M. Stoneham. Appl. Phys. Lett., 36, 981 (1980)
  • H.H. Tan, J.S. Williams, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 78, 1481 (1995)
  • K. Wohlleben, W. Beck. Z. Naturforsh., b. 21a, 1057 (1966)
  • A.G. Foyt, W.T. Kindley, C.M. Wolfe, J.P. Donelly. Sol. St. Electron., 12, 209 (1969)
  • R.A. Murphy, W.T. Lindley, D.F. Peterson. Proc. Symp. on GaAs (1972): Gallium Arsenide and Related compounds (London--Bristol, 1973) p. 224
  • J.D. Speight, P. Leigh, N. McIntyre, I.S. Groves, S.O. O'Hara, P. Hemment. Electron. Lett., 10, 98 (1974)
  • B.R. Pruniaux, J.C. North, A.V. Payer. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 672 (1972)
  • В.В. Козловский, И.А. Козловская, Ю.А. Лифшиц, В.М. Марахонов. Письма ЖТФ, 20, 5 (1994)
  • V.B. Cmill, A.V. Chuntonov, S.S. Khludkov, A.V. Koretsky, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. J. Phys. D.: Appl. Phys., 28, 559 (1995)
  • S.S. Khludkov, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A395, 132 (1997)
  • S.J. Pearton. Mater. Sci. Rep., 4, 313 (1990)
  • K.T. Short, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 135, 2835 (1988)
  • В.В. Козловский, И.А. Козловская, С.И. Пономарев. Письма ЖТФ, 20, 1 (1994)
  • R.J. Fu, C.J. Hwang, C.S. Wange. Appl. Phys. Lett., 45, 716 (1984)
  • J.C. Dyment, L.A. D'Asaro, J.C. North, B. Miller, J.F. Ripper. Proc. IEEE, 60, 726 (1972)
  • J.J. Hsieh, J.A. Rossi, J.P. Donnelly. Appl. Phys. Lett., 28, 709 (1976)
  • V.O. Naidenov. In: Int. School of Physics "Enrico Fermi", ed. by E. Bussoletti, G. Strazzula (North--Holland, Amsterdam, 1991) p. 371
  • B. Zhang, M. Yi, J. Song, D. Gao, N. Zhu, R. Wu, W. Wang. Japan. J. Appl. Phys., 38, pt 1, 6729 (1999)
  • Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, 170, 143 (2000)
  • L. Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 2167 (1992)
  • A. Hallen, N. Keskitalo, F. Masszi, V. Nagl. J. Appl. Phys., 79, 3906 (1996)
  • K. Irmscher, H. Klose, L. Maass. J. Phys. C, 17, 6317 (1984)
  • A. Hallen, B.U.R. Sundgvist, Z. Paska, B.G. Svensson, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990)
  • W. Wondrak, K. Bethge, D. Silber. J. Appl. Phys., 62, 3464 (1987)
  • W. Wondrak, D. Silber. Physica, BC129, 322 (1985)
  • P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Phenomena, 69--70, 545 (1999)
  • P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, 1041 (1986)
  • А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, В.Б. Шуман. ФТП, 32, 359 (1998)
  • H. Kauppinen, C. Corbel, K. Skog, K. Saarinen, T. Laine, P. Hautojarvi, P. Desgardin, E. Ntsoenzok. Phys. Rev. B, 55, 9598 (1997)
  • V. Eremin, A. Ivanov, E. Verbitskaya, Z. Li, S.U. Pundey. Nucl. Instr. Meth., A426, 120 (1999)
  • А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт N 1342 ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1989)
  • J. Lutz, W. Sudkamp, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 42, 931 (1998)
  • Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 31, 299 (1997) [E.M. Verbitskaja, V.K. Eremin, A.M. Ivanov, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 31, 189 (1997)]
  • Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 27, 1136 (1993) [E.M. Verbitskaja, V.K. Eremin, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 27, 1207 (1993)]
  • A.O. Evwaraye, B.J. Baliga. J. Electrochem. Soc., 124, 913 (1977)
  • R. Laiho, L.S. Vlasenko, M.P. Vlasenko, V.A. Kozlov, V.V. Kozlovski. Appl. Phys. Lett., 74, 3948 (1999)
  • Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa. Sol. St. Commun., 11, 263 (1972)
  • Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica, B170, 155 (1991)
  • V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 196--201, 945 (1995)
  • B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, S. Zhtakmoldin, V.V. Frolov. Phys. St. Sol. (a), 91, 509 (1985)
  • R. Job, J.A. Weima, G. Grabosch, D. Borchert, W.R. Fahrner, V. Raiko, A.G. Ulyashin. Sol. St. Phenomena, 69--70, 551 (1999)
  • J. Reisinger, L. Palmetshofer. Appl. Phys. Lett., 59, 3583 (1991)
  • P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Electron., 37, 127 (1994)
  • J. Vobecky, P. Hazdra, J. Voves, F. Spurny, J. Homola. Proc. ISPSD-94 (Davos, 1994) p. 265
  • В.А. Козлов, И.В. Грехов. Тез. докл. VI Межнац. сов. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1996) с. 140
  • A.F. Kardo-Sysoev, V.I. Brylevsky, Y.S. Lelikov, I.A. Smirnova, S.V. Zazulin, I.G. Tchashnicov, V.I. Scherbak, B.I. Sukhovetsky. Abstracts UWB'99 Conf. (Washington DC, 1999) p. 4
  • И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Шендерей. А. с. N 95109009/20 (1997)
  • J. Bartko, K.N. Sun. US Patent 4056408 (1977)
  • В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, В.А. Козлов, В.О. Найденов. ЖТФ, 57, 1925 (1987)
  • В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, Е.М. Гейфман, В.А. Козлов, В.О. Найденов. А. с. N 1533569 (1988)
  • I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, S.V. Korotkov, A.G. Andreev, I.V. Eremin, V.V. Chibirkin. Abstracts 12th Int. Conf. "Beams'98" (Haifa, 1998) p. 443
  • И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, И.В. Еремин, А.Г. Андреев. Изв. РАН. Энергетика, N 4, 106 (1996)
  • B. Thomas, D. Silber, H. Berg, M. Tscharn. Proc. Industry Applications Soc. Ann. Meeting. IEEE-IAS-1985 (1985) p. 882
  • A. Hallen, M. Bakowski. Sol. St. Electron., 32, 1033 (1989)
  • В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, В.А. Козлов, Э.И. Куузик, В.М. Рухамкин, А.В. Свирин. Электротехника, N 6, 58 (1991)
  • V.A. Kozlov, I.V. Grekhov, I.V. Eremin, S.V. Shenderey. Abstracts 12th Int. Conf. "Beams'98" (Haifa, 1998) p. 398
  • J. Li, K.W. Jones, J.H. Coleman, J. Yi, R. Wallace, W.A. Anderson. Mater Res. Soc. Proc., 396, 745 (1996)
  • A.M. Strelchuk, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Soloviev, M.G. Rastegaeva. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 147, 74 (1999)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
  • К.А. Валиев. Тез. докл. Всеросс. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. Л1-1
  • К.А. Валиев, А.А. Орликовский. Электроника: наука, технология, бизнес, N 5--6, 3 (1996); Электроника: наука, технология, бизнес, N 1, 3 (1997)
  • В.В. Козловский, В.А. Козлов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. 01-4
  • K.D. Hobart, F.J. Kub, G.G. Jernigan, M.E. Twing, P.E. Thompson. Electron. Lett., 34, 1265 (1998)
  • V.V. Kozlovskii, V.A. Kozlov. Conf. Abstr. of NATO Advanced Research Workshop on SOI (Kyev, 1998) p. 94
  • V.K. Smirnov, A.B. Danilin. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 315]
  • Y. Omura. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 257]
  • J. Weber. In: Proc. 24 Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Jerusalem, 1998) p. 209
  • T. Sadox, K. Tsukamoto, A. Baba, D. Bai, A. Kenjo, T. Tsirushima, H. Mori, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 82, 3828 (1997)
  • Y. Kamiura, M. Hayashi, Y. Nishiyama, S. Ohyama, Y. Yamashita. Japan. J. Appl. Phys., 36, 6579 (1997)
  • I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. J. Appl. Phys., 83, 814 (1998)
  • I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. Superlatt. Microstruct., 27, 437 (2000)
  • N. Achtziger, J. Crillenberger, W. Witthuhn, M.K. Linnarson, M. Janson, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 73, 945 (1998)
  • П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова. ФТП, 31, 1404 (1997) [P.A. Ivanov, O.I. Kon'kov, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova. Semiconductors, 31, 1212 (1997)]
  • P. Gluche, A. Aleksov, A. Vescan, W. Ebert, E. Kohn. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 547 (1997)
  • V.A. Kagadei, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2556 (1998)
  • В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. Р1-49.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.