Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
В.В. Богобоящий, Г.А. Шепельский, С.Г. Гасан-заде. ФТП, 34 (4), 411 (2000)
В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП, 21 (8), 1469 (1987)
А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
Н.Н. Берченко, В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров и др. Матер. Всес. сем. по проблеме " Физика и химия полупроводников" (Павлодар, 1987) с. 129
В.В. Богобоящий. ФТП, 34 (8), 955 (2000)
V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
В.А. Базакуца, В.И.Белозерцева, В.В. Богобоящий и др. Матер. Всес. сем. по проблеме " Физика и химия полупроводников" (Павлодар, 1987) с. 148
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 185, 286
Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971)
А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126.!! vadjust !!
L.Friedman. J. Non-Cryst. Sol., 6, 329 (1971)
Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.