Вышедшие номера
Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии
Казанский А.Г.1, Мелл Х.1, Теруков Е.И.1, Форш П.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились в области температур 150-430 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности носителей в микрокристаллическом кремнии. Рассмотрены возможные механизмы переноса и рекомбинации носителей, определяющие изменение с температурой указанных параметров.
  1. K. Tanaka. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 452, 3 (1997)
  2. M.J. Williams, C. Wang, G. Lucovsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 389 (1991)
  3. D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1011 (1998)
  4. D. Will, C. Lerner, W. Fuhs, K. Lips. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 467, 361 (1997)
  5. J.-H. Zhou, S.D. Baranovskii, Y. Yamasaki, K. Ikuta, M. Kondo, A. Matsuda, K. Tanaka. ФТП, 32, 905 (1998)
  6. J. Muller, F. Finger, R. Carius, H. Wagner. Phys. Rev. B, 60, 11 666 (1999)
  7. R. Fluckiger, J. Meier, M. Goetz, A. Shah. J. Appl. Phys., 77, 712 (1995)
  8. P. Torres, J. Meier, R. Fluckiger, J.A. Selvan, H. Keppner, A. Shah, S.D. Littlewood, I.E. Kelly, I. Giannoules. Appl. Phys. Lett., 69, 1373 (1996)
  9. А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 34, 373 (2000)
  10. J.H. Werner. In: Policrystalline Semiconductors. Springer Proceedings in Physics (Springer Verlag Berlin, Heidelberg, 1989) v. 35, p. 345
  11. T.D. Moustakas, W. Paul. Phys. Rev. B, 16, 1564 (1997)
  12. P. Kanschat, K. Lips, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 524 (2000)
  13. K.V. Kougia, I.S. Shlimak. In: Transport, Correlation and Structural Defects. Advances in Disordered Semiconductors, ed. by H. Fritzsche (Singapoure, World Scientific, 1990) v. 3, p. 213
  14. R. Carius, F. Finger, U. Backhausen, M. Luysberg, P. Hapke, L. Houben, M. Otte, H. Overhof. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 467, 283 (1997)
  15. F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 511 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.