"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе
Попов В.П.1, Антонова А.И.1, Французов А.А.1, Сафронов Л.Н.1, Феофанов Г.Н.1, Наумова О.В.1, Киланов Д.В.1
1Институ физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Рассмотрены физические основы способа создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом, названным "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Cut). Способ является модификацией известного метода Smart CutoledR и предназначен для устранения недостатков базового метода [1]. Предложенный способ поволяет существенно снизить температуру отжига и концентрацию радиационных дефектов в структурах КНИ, уменьшить толщину отсеченного слоя кремния и переходного слоя между слоем КНИ и скрытым окислом. Одновременно достигается увеличение однородности толщины слоев КНИ и диэлектрика до нескольких нанометров. Методом DeleCut созданы структуры КНИ с бездислокационными слоями КНИ толщиной 0.003-1.7 мкм с захороненным термическим окислом SiO2 (0.05-0.5 мкм) на пластинах диаметром до 150 мм. Структуры КНИ обладают высокими электрофизическими характеристиками, подтвержденными изготовлением на них субмикронных (0.2-0.5) транзисторов КМОП и тестовых интегральных схем.
  • В.П. Попов, А.И. Антонова, Л.В. Миронова, В.Ф. Стась. Патент РФ N 99120527/28(021735) от 28.09.99 г
  • R. Chau, J. Kavalieros, R. Schenker, B. Roberds, D. Zionberger, D. Barlage, B. Doyle, R. Arghavani, A. Murthy. Abstracts Int. Electron. Dev. Meeting (San Francisco, 2000)
  • M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  • Q.-Y. Tong, U. Goesele. Wafer bonding (N.Y. Wiley-Interscience Publication, 1999) p. 52
  • В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) с. 216
  • L.S. Sidhu, T. Kosteski, S. Zukotynski. J. Appl. Phys., 85, 2574 (1999)
  • S. Muto, S. Takeda, M. Hirata. Mater. Sci. Forum, 143-7, 897 (1994)
  • A.G. Ulyashin, A.I. Ivanov, R. Job, W.R. Farner, F.F. Komarov, A.C. Kamyshan. J. Mater. Sci. Eng. B, 58, 91 (1999)
  • V.P. Popov, A.K. Gutakovsky, I.V. Antonova, K.S. Zhuravlev, G.P. Pokhil, I.I. Morosov. MRS, 536, 109 (1999)
  • V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov. J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 82 (2000)
  • V.P. Popov, I.V. Antonova, J. Bak-Misiuk, J. Domagala. Spring E-MRS, Meeting. (Strasbourg, 2000) (to be publ. in J. Mater. Sci. Eng. B)
  • I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectron. Eng., 48, 383 (1999)
  • И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34, 1095 (2000)
  • И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 35 (8), (2001)
  • J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
  • T. Katsube, K. Kakimoto, T. Ikoma. J. Appl. Phys., 52, 3504 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.