Приведены результаты исследований методом вторичной ионной масс-спектрометрии нелегированных эпитаксиальных слоев 6H-SiC p-типа проводимости, выращенных из газовой фазы. Обсуждаются возможные источники фоновой примеси, механизм вхождения в слой и связь между стехиометрией и адсорбцией - с одной стороны, и эффектом конкурентного замещения примесями узлов кристаллической решетки - с другой. Накопление алюминия в адсорбционном слое SiC объясняется его поверхностной активностью. Рост концентрации Al с увеличением концентрации углерода связывается с образованием кремниевых вакансий, занимаемых атомами алюминия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.