"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме
Бауман Д.А.1, Гаврилин А.В.2, Иванцов В.А.3, Морозов А.М.4,3, Кузнецов Н.И.4,2
1Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3TDI Inc., Dakota, Gaithersburg MD, USA
4Центр исследования и роста кристаллов, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведено исследование роста эпитаксиальных слоев 4H-SiC в вакууме методом жидкофазной эпитаксии. Установлена необходимость предварительного нанесения на подложку затравочного слоя с характерными для жидкофазной эпитаксии ступенями роста. Показано, что рост в вакууме приводит к снижению концентрации некомпенсированных носителей Nd--Na до уровня 2· 1016 см-3.
  • B.J. Baliga. In: Proc. 6th Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials (Kyoto, Japan, 1995) v. 142, p. 1
  • S.V. Rendakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
  • S.V. Rendakova, V. Ivantsov, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264-- 268. 163 (1998)
  • V.E. Chelnokov, A.L. Syrkin, V.A. Dmitriev. Diamond and Related Mater., 6, 1480 (1997)
  • N.I. Kuznetsov, A.M. Morozov, D.A. Bauman, V. Ivantsov, V. Sukhoveev, I. Nikitina, A. Zubrilov, S. Rendakova, V. Dmitriev, D. Hofmann, P. Masri. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 229 (2000)
  • G. Sears. J. Chem. Phys., 25, 154 (1956)
  • M.N. Kahn, S. Nishizawa, W. Bahng, K. Arai. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 233 (2000)
  • С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (СПб., Наука, 1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.