Изучена зависимость распределения поля от интенсивности освещения в сильно смещенной высокоомной структуре металл-полупроводник, освещаемой собственным монохроматическим светом. Выявлены различия в распределении поля при освещении со стороны анода и катода, обусловленные в толще разностью подвижностей фотоносителей, а вблизи освещаемой поверхности - различным направлением диффузионного и дрейфового потоков для более подвижных электронов. Показано, что при освещении со стороны катода распределение поля в толще не монотонно. Оно убывает в тонком слое с удалением от освещаемого катода, проходит через минимум и растет в направлении к аноду. С увеличением интенсивности освещения квазинейтральная область в окрестности минимума поля расширяется в направлении к аноду и минимальное поле убывает, в то время как поле у освещаемого катода при малых интенсивностях уменьшается, а при больших интенсивностях растет. При достаточно больших интенсивностях освещения координатная зависимость поля в толще чистых кристаллов как функция расстояния от освещаемого электрода не зависит от направления освещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.