"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирования азотом на электрофизические свойства и эрбиевую электролюминесценцию пленок a-Si : H(Er)
Коньков О.И.1, Теруков Е.И.1, Границына Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведено исследование влияния легирования азотом на электрические и электролюминесцентные характеристики пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием. При этом параметры материала, характеристики структур на его основе и эффективность электролюминесценции эрбия (lambda=1.54 мкм) определяются превышением уровня легирования азотом над фоновым значением, определяемым концентрацией Er. Показано, что при уменьшении фоновой концентрации и сохранении легирования азотом на уровне ~ 1021 см-3 возможно получение эффективно люминесцирующих структур. Предложен возможный механизм, объясняющий такой эффект на основе двух форм встраивания атомов азота в структуру a-Si : H, легированного Er: с образованием комплекса Er--N и с образованием заряженной дефектной пары N+4--Si3-, при этом эффективность электролюминесценции определяется количеством таких пар.
  • M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zaharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67 (24), 3599 (1995)
  • J.H. Shin, R. Serna, G.N. van den Hoven, A. Polman, W.G.J.M. van Stark, A.M. Vredenburg. Appl. Phys. Lett., 68 (7), 997 (1996)
  • A.R. Zanatta, Z.A. Nunes, Z.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70 (4), 511 (1997)
  • М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цендин, И.Н. Яссиевич. ФТП, 33 (6) 671 (1999)
  • О.Б. Гусев, М.С. Бреслер, Б.П. Захарченя, А.Н. Кузнецов, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цендин, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 41 (2), 210 (1999)
  • П.А. Иванов, О.И. Коньков, Е.И. Теруков. ФТП, 34 (5), 617 (2000)
  • А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников, пер. с англ. под ред. С.А. Костылева (М., Мир, 1991)
  • W. Beyer, H. Overhof. Semiconductors and Semimetals (Academic, Orlando, 1984) v. 21, part C
  • A. Morimoto, M. Matsumoto, M. Kumeda, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 29, L1747 (1990)
  • A. Morimoto, M. Matsumoto, M. Yoshita, M. Kumeda, T. Shimizu. Appl. Phys. Lett., 59 (17), 2130 (1991)
  • J.-H. Zhou, K. Yamaguchi, Y. Yamamoto, T. Shimizu. J. Appl. Phys., 74 (8), 5086 (1993)
  • М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38 (4), 1189 (1996)
  • A. Polman, G.N. van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, P.F.A. Alkemade. J. Appl.Phys., 77 (3), 1256 (1995)
  • В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, О.Б. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, В. Фус, Г. Вейзер, Х. Кюне. ФТП, 32 (11), 1384 (1998)
  • T. Noguchi, S. Usui, A. Savada, Y. Kanoh, M. Kikuchi. Japan. J. Appl. Phys., 21, L485 (1982)
  • M. Hiramatsu, T. Kamimura, M. Nakajima, H. Ito. Japan. J. Appl. Phys., 30, L7 (1991)
  • A. Matsuda, K. Itoh, K. Matsuda, Y. Yonezawa, M. Kumeda, T. Shimizu. J. Appl.Phys., 81 (10), 6729 (1997)
  • А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян. ФТП, 25 (10), 1201 (1991)
  • M.J. Williams, S.S. He, S.M. Cho, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 12 (4), 1072 (1992)
  • M. Kumeda, H. Yokomichi, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 23, L502 (1984)
  • T. Shimizu, H. Kidoh, A. Morimoto, M. Kumeda. Japan. J. Appl. Phys., 28, L586 (1989)
  • M. Kumeda, M. Yoshita, A. Morimoto, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 29, L1578 (1990)
  • J. Kocka, M. Vanecek, F. Schauer. J. Non-Cryst. Sol., 97-- 98, 715 (1987)
  • L.N. Tessler, A.C. Iniguez. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 603 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.