"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму
Александров О.В.1
1Санк-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

На основе дуального парного механизма разработана модель диффузии фосфора в кремнии, в которой вклад пар примесь--вакансия PV и примесь--<собственный межузельный атом (СМА)> PI учитывается непосредственно через коэффициент диффузии фосфора. Нарушение термодинамического равновесия по собственным точечным дефектам происходит вследствие диффузии нейтральных пар PI. На высокотемпературной стадии диффузии, диффузия фосфора описывается одним уравнением с коэффициентом диффузии, зависящем как от локальной, так и от поверхностной концентрации фосфора, а на последующей --- более низкотемпературной стадии диффузии --- двумя уравнениями диффузии для суммарных концентраций фосфор- и СМА-содержащих компонентов. Аномально высокая скорость низкотемпературной диффузии обеспечивается избыточными СМА, запасенными в легированном слое во время предшествующей высокотемпературной диффузии. Модель позволяет количественно описать особенности диффузии фосфора в широком диапазоне поверхностных концентраций как при высоких (900--1100oC), так и при низких (500--700oC) температурах.
  • S.M. Hu. In: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N.Y., Plenum Press, 1973) ch. 5. [Пер.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
  • R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed by F.F.Y. Wang. (North-Holland Publishing Company, 1981) ch. 7
  • S.M. Hu, P. Fahey, R.W. Dutton. J. Appl. Phys., 54, 6912 (1983)
  • К.О. Петросянц, О.В. Мазинг. ЗЭТ, N 5--6, 3 (1991)
  • R.B. Fair, J.C.C. Tsai. J. Electrochem. Soc., 124, 1107 (1977)
  • R.B. Fair. J. Appl. Phys., 50, 860 (1979)
  • M. Yoshida. Japan. J. Appl. Phys., 18, 479 (1979)
  • M. Yoshida, E. Arai. Japan. J. Appl. Phys., 34, 5891 (1995)
  • D. Mathiot, J.S. Pfister. J. Phys. Lett., 43, L453 (1982)
  • В.А. Пантелеев. ФТТ, 21, 3388 (1979);
  • В.А. Пантелеев, М.И. Василевский, Г.М. Големшток, В.И. Окулич. ФТТ, 28, 3226 (1986)
  • P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  • B.J. Mulvaney, W.B. Richardson. Appl. Phys. Lett., 51, 1439 (1987)
  • M. Orlowski. Appl. Phys. Lett., 53, 723 (1988)
  • H.U. Jager, T. Feudel, S. Ulbricht. Phys. St. Sol. (a), 116, 571 (1989)
  • F.F. Morhead, R.F. Lever. Appl. Phys. Lett., 48, 151 (1986), J. Appl. Phys., 66, 5349 (1989)
  • D. Mathiot, S. Martin. J. Appl. Phys., 70, 3071 (1991)
  • D. Mathiot, J.S. Pfister. J. Appl. Phys., 55, 3518 (1984)
  • W.B. Richardson, B.J. Mulvaney. J. Appl. Phys., 65, 2243 (1989)
  • B.J. Mulvaney, W.B. Richardson. J. Appl. Phys., 67, 3197 (1990)
  • M. Budil, H. Potzl, G. Stingeder, M. Grasserbauer, K. Goser. Mater. Sci. Forum, 38-- 41, 719 (1989)
  • B. Baccus, T. Wada, N. Shiguo, M. Horishima, H. Nakajima, K. Inou, T. Iinuma, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 648 (1992)
  • K. Ghaderi, G. Hobler. J. Electrochem. Soc., 142, 1654 (1995)
  • F.N. Shwettman, D.L. Kendall. Appl. Phys. Lett., 19, 218 (1971)
  • F.N. Shwettman, D.L. Kendall. Appl. Phys. Lett., 21, 2 (1972)
  • О.В. Александров, Р.З. Тумаров. В сб.: Легирование полупроводников (М., Наука, 1982) с. 97
  • О.В. Александров, В.И. Соколов. Электрон. техн., сер. 2, N 6, 38 (1975)
  • О.В. Александров, Р.Н. Кютт, В.И. Прохоров, Л.М. Сорокин. ФТТ, 31, 182 (1989)
  • В.И. Прохоров, В.И. Соколов, Л.М. Сорокин. ФТТ, 23, 1302 (1981)
  • R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed. by F.F.Y. Wang. (North-Holland Publishing Company, 1981) ch. 7
  • Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) гл. 5
  • О.В. Александров, Н.В. Ашкинадзе, Р.З. Тумаров. ФТТ, 26, 632 (1984)
  • О.В. Александров, Р.Н. Кютт, Т.Г. Алкснис. ФТТ, 22, 2892 (1980)
  • J.P. John, M.E. Law. Appl. Phys. Lett., 62, 1388 (1993)
  • T. Shimizu, T. Takagi, S. Matsumoto et. al. Japan. Appl. Phys., 37, 1184 (1998)
  • D.J. Roth, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 141, 1074 (1994)
  • R.L. Meek, T.E. Seidel, A.G. Cullis. J. Electrochem. Soc., 122, 786 (1975)
  • Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева. ФТТ, 18, 2606 (1976)
  • G. Weyer, M. Fanciulli, K. Freitag, A.N. Larsen, M. Lindroos, E. Muller, H.C. Vestergaard. Mater. Sci. Forum, 196-- 201, 1117 (1995)
  • W. Frank. Inst. Phys. Conf. Ser., 23, 23 (1975)
  • K. Taniguchi, D.A. Antoniadis, Y. Matsushita. Appl. Phys. Lett., 42, 961 (1983)
  • H. Zimmermann, H. Ryssel. Appl. Phys. A, 55, 121 (1992)
  • T.Y. Tan, U. Gosele. Appl. Phys. A, 37, 1 (1985)
  • N.A. Stolwijk, J. Holzl, W. Frank, E.R. Weber, H. Mehrer. Appl. Phys. A, 39, 37 (1986)
  • W. Wijaranakula. J. Appl. Phys., 67, 7624 (1990)
  • P.B. Griffin, P.M. Fahey, J.B. Plummer, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 47, 319 (1985)
  • D.B. Lee. Philips Res. Rep. Suppl., 25, 1 (1974)
  • S. Matsumoto, M. Yoshida, T. Niimi. Japan. J. Appl. Phys., 13, 1899 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.