"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью
Бирюлин П.И.1, Горбацевич А.А.1, Капаев В.В.2, Копаев Ю.В.2, Трофимов В.Т.2
1Московский государственный институт электронной техники, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Численно исследован электронный транспорт в гетероструктуре с туннельно-связанными квантовыми ямами в условиях сильной неодномерности потенциала в структуре. Рассчитаны вольт-амперные характеристики, распределение потенциала, подвижность и концентрация электронов в квантовых ямах. Численный метод основан на двумерном согласованном расчете квантовых и классических областей гетероструктуры. Впервые показано, что в таких гетероструктурах возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в однородном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельным переходом электронов между квантовыми ямами с разной подвижностью и характеризуется образованием домена сильного поля и участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.
  • H. Sakaki. Japan J. Appl. Phys., 21(6), L381 (1982)
  • S. Kirchoefer, R. Magno, J. Comas. Appl. Phys. Lett., 44, 1054 (1984)
  • J.M. Pond, S. Kirchoefer, E.J. Gukauskas. Appl. Phys. Lett., 47, 1175 (1985)
  • B. Vinter, A.Tardela. Appl. Phys. Lett., 50, 410 (1987)
  • A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, V.Ya. Kremlev. Phys. Low-Dim. Structur., 4/5, 57 (1994)
  • A. Palevski, F. Beltram, F. Capasso, L. Pfeiffer, K. West. Phys. Rev. Lett., 65, 1929 (1990)
  • Y. Ohno, M. Tsuchiya, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 62, 1952 (1993)
  • P. I. Biryulin, S.P. Grishechkina, A.S. Ignatiev, Yu.V. Kopaev, S.S. Shmelev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci. Technol., 12 (4), 427 (1997)
  • В.Л. Борблик, З.С. Грибников, Б.П. Маркевич. ФТП, 25, 1302 (1991)
  • V.I. Belyavsky, Yu.V. Kopaev, Yu.A. Pomerantsev, Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 1 (1997)
  • Ф.Т. Васько, О.Э. Райчев. ЖЭТФ, 107, 951 (1995)
  • P. Owen, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 8 (10), 123 (1993)
  • P. Owen, M. Pepper. Appl. Phys. Lett., 62, 1274 (1993)
  • P.I. Biryulin, Yu.V. Kopaev, V.T. Trofimov, N.A. Volchkov. Semicond. Sci. Technol., 14 (8), 699 (1999)
  • H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.