"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические характеристики интерференционных транзисторов с одним затвором на различных полупроводниковых материалах
Абрамов И.И.1, Рогачев А.И.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Проведено теоретическое исследование вольт-амперных и частотных характеристик однозатворных интерференционных T-транзисторов на квантовых проволоках различных полупроводниковых материалов, а именно Si, Ge, GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP. Осуществлен учет двух механизмов рассеяния в модели T-транзистора с целью оценки их влияния на электрические характеристики приборов. Адекватность предложенной модели проверена путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Приведенные в работе расчеты выполнены с помощью подсистемы моделирования приборов на квантовых проволоках QW-NANODEV.
  • S. Datta. Superlat. Microstruct., 6, 83 (1989)
  • S. Subramaniam, S. Bandyopadhyay, W. Porod. J. Appl. Phys., 68, 4861 (1990)
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  • И.И. Абрамов, Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк. ЖТФ, 69, 130 (1999)
  • J.I. Bergman, J. Chang, Y. Joo, B. Matinpour, J. Laskar, N.M. Jokerst, M.A. Brooke, B. Brar, E. Beam, III. IEEE Electron Dev. Lett., 20, 119 (1999)
  • И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
  • A.C. Irvine, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed. J. Appl. Phys., 87, 8594 (2000)
  • J. Appenzeller, Ch. Schoer, Th. Schapers, A. v. d. Hart, A. Forster, B. Lengeler, H. Luth. Phys. Rev. B, 53, 9959 (1996)
  • A. Ghoshal, B. Mitra, K.P. Ghatak. Nuovo Cimento, 12, 891 (1990)
  • C.-C. Wu, C.-J. Lin. J. Appl. Phys., 83, 1390 (1998)
  • J. Motohisa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 60, 1315 (1992)
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Handbook Series on Semiconductor parameters (London, World Scientific, 1996)
  • В.М. Борздов, Ф.Ф. Комаров. Моделирование электрофизических свойств твердотельных слоистых структур интегральной электроники (Минск, Изд-во Белорус. ун-та, 1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.