Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

Винокуров Д.А.¹, Капитонов В.А.¹, Николаев Д.Н.¹, Станкевич А.Л.¹, Лютецкий А.В.¹, Пихтин Н.А.¹, Слипченко С.О.¹, Соколова З.Н.¹, Фетисова Н.В.¹, Арсентьев И.Н.¹, Тарасов И.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 марта 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана технология газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaP/GaAs/InGaAs на модифицированной установке Epiquip VP-50-RP. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды с пороговыми плотностями тока J_th=100-200 A/cм², внутренними оптическими потерями alpha_i=1.3-1.7 см^-1 и внутренним квантовым выходом eta_i=60-70%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 5 Вт для лазерного диода с апертурой 100 мкм на длине волны излучения 1.03 мкм. Показано, что использование волноводных AlGaAs-слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, ослабляет температурную чувствительность лазерных гетероструктур в температурном диапазоне 10-80^oC.

A.Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 62, 2402 (1993)
X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchell, R. Patel. Electron. Lett., 34, 2126 (1998)
D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (3), 380 (2001)
J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, J.A. Morris. Electron. Lett., 34, 1100 (1998)
S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)
S. Adachi. Physical Properties of 3--5 Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
K.H. Park, J.K. Lee, D.H. Jang, H.S. Cho, C.S. Park, K.E. Pyun, J.Y. Jeong, S. Nahm, J. Jeong. Appl. Phys. Lett., 73, 2567 (1998)
В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19 (8), 1420 (1985)
Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (7), 886 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель