"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости
Феклисова О.В.1, Ярыкин Н.А.1, Якимов Е.Б.1, Вебер Й.2
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт низких температур, Технический университет Дрездена, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 12 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовалось взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии p-типа проводимости. Водород вводился в кристаллы, облученные электронами с высокой энергией, при жидкостном химическом травлении в растворе азотной и плавиковой кислот при комнатной температуре и последующем отжиге с обратным смещением при 380 K. Обнаружено, что процесс пассивации радиационных дефектов сопровождается образованием новых электрически активных центров с водородозависимым профилем распределения. Впервые показано, что водород пассивирует электрическую активность комплексов CsCi. На основе данных о пространственном распределении дефектов и кинетики процесса пассивации проведен анализ возможной природы вновь образующихся центров. Определены радиусы захвата водорода дивакансиями, K-центрами, комплексами CsCi и новыми дефектами.
  • C.H. Seager, R.A. Anderson, J.K.G. Panitz. J. Mater. Res., 2 (1), 96 (1987)
  • S.J. Pearton, J.W. Cordett, M. Stavola. Hydrogen in Сrystalline Semiconductors (Berlin, Springer, 1992)
  • J.-U. Sachse, E.O. Sveinbjornsson, W. Jost, J. Weber, H. Lemke. Phys. Rev. B, 55, 16 176 (1997)
  • J.-U. Sachse, J. Weber, H. Lemke. Mater. Sci. Forum, 258--263, 307 (1997)
  • E.O. Sveinbjornsson, O. Engstrom. Phys. Rev. B, 52, 4884 (1995)
  • N. Yarykin, J.-U. Sachse, J. Weber, H. Lemke. Mater. Sci. Forum, 258--263, 301 (1997)
  • K. Irmscher, H. Klose, KJ. Maas. J. Phys. C, 17, 6317 (1984)
  • A. Hallen, B.U.R. Sundquist, Z. Paska, B.G. Svensson, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990)
  • O. Feklisova, N. Yarykin. Semicond. Sci. Technol., 12, 742 (1997)
  • Y. Tokuda. Japan. J. Appl. Phys., 37, 1815 (1998)
  • A.R. Peaker, J.H. Evans-Freeman, P.Y.Y. Kan, L. Rubaldo, I.D. Hawkins, K.D. Vernon-Parry, L. Dobaczewski. Physica B, 273--274, 243 (1999)
  • S. Fatima, C. Jagadich, J. Lalita, B.G. Svensson, A. Hallen. J. Appl. Phys., 85 (5), 2562 (1999)
  • G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1965)
  • G.D. Watkins. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 469, 139 (1997)
  • T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 13 549 (1989)
  • W. Song, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 42, 5765 (1990)
  • P. Leary, R. Jones, S. Oberg. Phys. Rev. B, 57 (7), 3887 (1998)
  • N. Yarykin, J.-U. Sachse, H. Lemke, J. Weber. Phys. Rev. B, 59 (8), 5551 (1999)
  • P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Suli, J.D. Gerson, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 15 (8), 3836 (1977)
  • O. Feklisova, N. Yarykin, Eu. Yakimov, J. Weber. Phys. B, 273--274, 235 (1999)
  • С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов. ФТП, 22, (5), 922 (1988)
  • P.J. Drevinsky, C.E. Caefer, S.P. Tobin, J.C. Mikkelsen, L.C. Kimerling. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 104, 167 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.