Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние степени структурного совершенства на спектр глубоких центров в 6H-SiC

Лебедев А.А.¹, Давыдов Д.В.¹, Трегубова А.С.¹, Богданова Е.В.¹, Щеглов М.П.¹, Павленко М.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование спектров глубоких центров в слабо легированной подложке 6H-SiC, имеющей области с различным структурным совершенством. Обнаружено, что концентрации большинства глубоких центров не зависят от плотности дислокаций в данной области образца. На основании полученных результатов и литературных данных делается предположение о независимости концентрации кремниевых вакансий от степени структурного совершенства 6H-SiC.

C.H. Carter, V.F. Tsvetkov, R.C. Glass, D. Henshall, M. Brady, St.G. Muller, O. Kordina, K. Irvine, J.A. Edmond, H.-S. Kong, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmor. Mater. Sci. and Eng. B, 61--62, 1 (1999)
C.H. Carter, Jr., R. Glass, M.Brady, D. Malta, D. Henshall, S. Muller, V. Tsvetkov, D. Hodgood, A. Powell. Abstr. Mater. Sci. Forum V, 353--356, 3 (2001)
Q. Wahab, A. Ellison, A. Henry, E. Janzen, C. Hallin, J.Di. Perzo, R. Martinez. Appl. Phys. Lett., 76, 2725 (2000)
Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
H. Zhang, G. Pensl, A. Dorner, S. Leibenzeder. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Mtg. (1989) p. 714
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, A.L. Syrkin, A.V. Suvorov, A.M. Strel'chuk. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Mtg. (1989) p. 699
М.М. Аникин, А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, С.Н. Пятко, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 328 (1991)
C.G. Hemmingsson, N.T. Son, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 74, 839 (1999)
T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami et al. Phys. St. Sol. A, 162, 199 (1997)
А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981)
А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 897 (2000)
A. Kawasuso, F. Redmann, R. Krause-Rehberg, P. Sperr, Th. Frank, M. Weidner, G. Pensl, H. Itoh. Abstr. Mater. Sci. Forum V, 353--356, 537 (2001)
Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель