Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О стабилизации уровня Ферми в сплавах на основе теллурида свинца, легированных галлием

Скипетров Е.П.¹, Зверева Е.А.¹, Скипетрова Л.А.¹, Волкова О.С.¹, Слынько Е.И.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние легирования галлием и облучения быстрыми электронами на гальваномагнитные эффекты в n-Pb_1-xGe_xTe< Ga> (0.04=<sssim x=<sssim 0.06). Обнаружены переходы к металлическому типу проводимости как при увеличении содержания примеси, так и под действием облучения. Сделан вывод об отсутствии стабилизации уровня Ферми уровнем примеси и показано, что легирование галлием и электронное облучение являются эффективными взаимодополняющими средствами управления электрофизическими параметрами сплавов.

В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. St. Sol. (a), 137, 9 (1993)
W. Dobrowolski. Proc. 9th Int. Conf. on Narrow Gap Semiconductors, ed. by N. Puhlmann, H.-U. Muller, M. von Ortenberg (Berlin, Germany, 2000) p. 39
Е.П. Скипетров, А.Н. Некрасова, А.Г. Хорош. ФТП, 28, 815 (1994)
Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, И.А. Драбкин, Е.Я. Лев, И.В. Нельсон. ФТП, 11, 1874 (1977)
Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, Т.Т. Дедегкаев, И.А. Драбкин, Т.Б. Жукова, Е.Я. Лев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 2136 (1980)
Ф.Ф. Сизов, С.В. Пляцко, В.М. Лакеенков. ФТП, 19, 592 (1985)
Z. Feit, D. Eger, Z. Zemel. Phys. Rev. B, 31, 3903 (1985)
Е.П. Скипетров, А.Н. Некрасова, Д.В. Пелехов, Л.И. Рябова, В.И. Сидоров. ФТП, 28, 1626 (1994)
Е.П. Скипетров. ФТП, 29, 1416 (1995)
Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. ФНТ, 22, 870 (1996)
Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, В.В. Белоусов, Л.А. Скипетрова, Е.И. Слынько. ФТП, 34, 932 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель