Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 1 » Статья стр. 59
<<<>>>
Сульфидные пассивирующие покрытия поверхности GaAs(100) в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии AIIBVI/GaAs
Седова И.В.1, Львова Т.В.1, Улин В.П.1, Сорокин С.В.1, Анкудинов А.В.1, Берковиц В.Л.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
PDF версия
Методом атомно-силовой микроскопии проведен сравнительный анализ топографии естественно окисленных поверхностей подложек GaAs(100), а также подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия на различных стадиях их подготовки для роста гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что отжиг окисленных подложек вызывает сильное нарушение планарности поверхности и приводит к появлению ямок с плотностью 1010 см-2. Плотность ямок удается уменьшить на 2 порядка с помощью обработки поверхности подложки в водном растворе Na2S. Методом просвечивающей электонной микроскопии показано, что сульфидирование подложек GaAs позволяет снизить количество дефектов (до ~ 3· 105 см-2), зарождающихся на интерфейсе ZnSe/GaAs, и соответственно улучшить структурные качества выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев AIIBVI и гетероструктур.
  1. S. Guha, H. Munekata, F.K. LeGoues, L.L. Chang. Appl. Phys. Lett., 60, 3220 (1992)
  2. A. Krost, W. Richter, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 56--58 (1--4), pt B, 691 (1992)
  3. R.L. Gunshor, L.A. Kolodziejski, M.R. Melloch, M. Vaziri, C. Choi, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 50, 200 (1987)
  4. V.H. Wu, T. Toyda, Y. Kawakami, Sr. Fujita, Sq. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1441 (1990)
  5. J. Wang, X.H. Liu, Z.S. Li, R.Z. Su, Z. Ling, W.Z. Cai, X.Y. Hou, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 67, 2043 (1995)
  6. V.L. Berkovits, V.P. Ulin, D. Paget, J.E. Bonnet, T.V. L'vova, P. Chiaradia, V.M. Lantratov. J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (4), 2528 (1998)
  7. V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin. Appl. Phys. Lett., 63, 970 (1993)
  8. http://members.xoom.com/AlexKryzh
  9. V.A. Solov'ev, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, G. Mosina, S.V. Ivanov, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 200/201, 481 (1999)
  10. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin, Springer, 1993) pt. 17, p. 276
  11. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, В.П. Улин, А.Н. Титков. ФТП, 33, 594 (1999)
  12. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочник под ред В.П. Глушко (М., 1971) вып. 5
  13. V.L. Berkovits, A.O. Gusev, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, D. Paget, A.B. Pushnyi, V.P. Ulin. Low-Dim. Structur., 12, 293 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme