Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF : HCl : C2H5OH
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Зеленоград, Москва, Россия
2ФГУП ГНЦ РФ "Гиредмет", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2ФГУП ГНЦ РФ "Гиредмет", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Изучена проблема стабильности свойств слоев пористого кремния. Представлен термодинамический анализ электрохимических процессов, протекающих при анодном растворении Si. Предложено новое описание электродной реакции взаимодействия кремния с плавиковой кислотой. Показано, что водородная пассивация поверхности Si определяет равновесный потенциал растворения кремниевого электрода. Проведенные термодинамические расчеты указывают на возможность замещения химически и термически нестабильных поверхностных групп типа SiHx более стабильными кремний-кислородными соединениями непосредственно в процессе формирования пористого Si в электролитах с добавлением сильных галогеноводородных кислот. Полученные результаты позволили с позиций термодинамики объяснить стабилизирующее влияние добавки HCl в электролиты для формирования пористого Si на его химические и физические свойства.
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1386 (2000)
- S. Lazarouk, S. Katsouba, A. Tomlinson, S. Benedetti, C. Mazzoleni, V. Mulloni, G. Mariotto, L. Pavesi. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 114 (2000)
- Е.А. Шелонин, М.В. Найденкова, А.М. Хорт, А.Г. Яковенко, А.А. Гвелесиани, И.Е. Марончук. ФТП, 32, 494 (1998)
- T. Arigane, K. Yoshida, T. Wadayama, A. Hatta. Surf. Sci., 427--428, 304 (1999)
- А.М. Орлов, А.В. Синдяев. ЖТФ, 69, 135 (1999)
- Z. Yamani, W.H. Thompson, L. AbuHassan, M.H. Nayfen. Appl. Phys. Lett., 70, 3404 (1997)
- A.I. Belogorokhov, R. Enderlein, A. Tabata, J.R. Leite, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Phys. Rev. B, 56, 10 276 (1997)
- S. Zangooie, R. Jansson, H. Arwin. Appl. Surf. Sci., 136, 123 (1998)
- С.А. Гаврилов, Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, Н.Н. Мельник, В.В. Подзоров, И.Н. Сорокин. Электрохимия, 33, 1064 (1997)
- J.L. Gole, J.A. De Vincentis, L. Seals, P,T. Lillehei, S.M. Prokes, D.A. Dixon. Phys. Rev. B, 61, 5615 (2000)
- R.C. Newman. Infra-red Studies of Crystal Defects (Teylor and Francis, London, 1978)
- S. Watanabe. Appl. Surf. Sci., 162--163, 146 (2000)
- T. Matsumoto, A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, Y. Masumoto, E.A. Zhukov. Nanotechnology, 11, 340 (2000)
- J.-H. Cho, K.S. Kim, S.-H. Lee, M.-H. Kang. Phys. Rev. B, 61, 4503 (2000)
- D.R. Turner. J. Electrochem. Soc., 105, 402 (1958)
- S. Ottow, G.S. Popkirov, H. Foll. J. Electroanal. Chem., 445, 29 (1998)
- C. DaFonseca, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. Surf. Sci., 365, 1 (1996)
- M. Bailes, S. Bohm, L.M. Peter, D.J. Riley, R. Greef. Electrochimica Acta, 43, 1757 (1998)
- G.F. Cerofolini, L. Meda. Appl. Surf. Sci., 89, 351 (1995)
- У.Д. Верятин, В.П. Маширев, Н.Г. Рябцев, В.И. Тарасов, Б.Д. Рогозкин, И.В. Коробов. Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник (М., Атомиздат, 1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
