Исследуется влияние плотности лазерного возбуждения L на величину и характеристическую временную постоянную среднеполевой электромодуляционной компоненты спектров фотоотражения, измеряемых в области фундаментального перехода E0 прямозонного полупроводника. Серии измерений спектров проводились в области значений L=100 мкВт/см2-1 Вт/см2 на образцах GaAs с концентрацией носителей заряда n~1016 см-3. Для всех исследованных образцов обнаружена логарифмическая зависимость величины электромодуляционного сигнала от плотности лазерного возбуждения. Установлено, что наблюдаемое изменение характеристической временной постоянной компоненты не оказывает какого-либо заметного влияния на величину измеряемого сигнала.
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
H. Shen, M. Dutta. J. Appl. Phys., 78, 2151 (1995)
J.P. Estrera, W.M. Duncan, R. Glosser. Phys. Rev. B, 49, 7281 (1994)
Р. Кузьменко, А. Ганжа, Э.П. Домашевская, В. Кирхер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 34, 1086 (2000)
R. Ditchfield, D. Llera-Rodriguez, E.G. Seebauer. Phys. Rev. B, 61, 13 710 (2000)
E.R. Wagner, A. Manselis. Phys. Rev. B, 50, 14 228 (1994)
H. Shen, S.H. Pan, Z. Hang, J. Leng, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett., 53, 1080 (1988)
E.G. Seebauer. J. Appl. Phys., 66, 4963 (1989)
А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТП, 32, 272 (1998)
S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber. Phys. St. Sol. (a), 152 , 147 (1995)
P.M. Pires, P.L. Souza, J.P. von der Weid. Appl. Phys. Lett., 65, 88 (1994)
T. Kanata, M. Matsugana, T. Takakura, Y. Hamakawa. J. Appl. Phys., 69, 3691 (1991)
H. Shen, M. Dutta, R. Lux, W. Buchwald, L. Fotiadis, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett., 59, 321 (1991)
D.E. Aspnes. Phys. Rev., 147, 554 (1966)
D.E. Aspnes. Phys. Rev., 153, 972 (1967)