Экспериментально показано, что в объеме монокристаллов Te и InSe при формировании и возбуждении сильным электрическим полем диссипативной структуры в неравновесной электронно-дырочной плазме происходит перераспределение концентрации носителей заряда. При этом, когда в диссипативной структуре реализованы только продольные автосолитоны, концентрация носителей вне автосолитонов понижается, а в случае присутствия поперечных автосолитонов концентрация носителей заряда вне автосолитонов повышается. Предлагается объяснение эффектов: продольные автосолитоны, формирующиеся в созданной джоулевым разогревом неравновесной электронно-дырочной плазме, являются холодными, а поперечные автосолитоны --- горячими.
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 71, 1542 (1976)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. Письма ЖЭТФ, 41, 386 (1985)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. Письма ЖЭТФ, 18, 122 (1973)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 13, 891 (1979)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТТ, 21, 2342 (1979)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 13, 721 (1979)
А.Л. Дубицкий, Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТТ, 28, 1290 (1986)
Б.С. Кернер, В.Ф. Синкевич. Письма ЖЭТФ, 36, 359 (1982)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов, М.Т. Романенко, В.Ф. Синкевич. Письма ЖЭТФ, 44, 77 (1986)
М.Н. Винославский. ФТТ, 31, 315 (1989)
А.А. Степуренко. ФТП, 28, 402 (1994)
I.K. Kamilov, A.A. Stepurenko. Phys. St. Sol. (b), 194, 643 (1996)
В.В. Гафийчук, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, А.Г. Южанин. ФТП, 22, 2051 (1988)
T. Ishiguro, T. Tanaka. Japan. J. Appl. Phys., 6 (7), 864 (1967)
G. Quentin. Phenomenes acuotoelectriques dans les semiconducteurs piezoelectriques. --- Application at tellure (Paris, 1967)
T. Shiosaki, H. Matsumoto, H. Chiharo, A. Kawabata. Japan. J. Appl. Phys., 12 (3), 337 (1973)
H. Kuzmany. Phys. St. Sol. (a), 25 (1), 9 (1974)
H. Kuzmany, W. Liederer. Phys. St. Sol. (a), 15 (1), 121 (1973)
А.А. Степуренко. Автореф. канд. дис. (Махачкала, 1982)
И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев. Вестн. ДагНЦ РАН, N 8, 15 (2000)