Фотолюминесценция антимодулированно легированных GaAs/AlGaAs-структур с одиночными квантовыми ямами, обработанных в водородной плазме
Бумай Ю.А.1, Гобш Г.2, Гольдхан Р.2, Штайн Н.2, Голомбек А.2, Наков В.2, Ченг Т.С.1
1Белорусская государственная политехническая академия, Минск, Белоруссия
2Технический университет Ильменау, Ilmenau, FRG
Поступила в редакцию: 30 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs/AlGaAs-гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами вблизи поверхности, антимодулированно легированные Si, обработаны в водородной плазме при 260oC и исследованы методами низкотемпературной фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и фотоотражения. Обнаружено гашение экситонной люминесценции из квантовой ямы при возбуждении ниже ширины запрещенной зоны AlGaAs вследствие усиления электрического поля в структуре. Эффект связан с откреплением уровня Ферми от середины запрещенной зоны специально не легированного верхнего слоя GaAs (p-типа) в результате пассивации водородом поверхностных состояний при отсутствии нейтрализации мелких примесей в слоях структуры (из-за распада комплексов с водородом в условиях освещения и наличия сильных электрических полей).
- S.J. Pearton. Mater. Sci. Forum., 148--149, 393 (1994)
- L. Pavesi, F. Martelli, D. Martin, F.K. Reinhart. Appl. Phys. Lett., 54, 1522 (1989)
- J.M. Zavada, F. Voillot, N. Lauert, R.G. Wilson, B. Theys. J. Appl. Phys., 73, 8489 (1993)
- R. Fisher, G. Peter, E.O. Gobel, M. Capazzi, A. Frova, A. Fisher, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 60, 2788 (1992)
- Y.-L. Chang, I.-H. Tang, Y.-H. Zhang, J. Merz, E. Hu, A. Frova, V. Emiliani. Appl. Phys. Lett., 62, 2697 (1993)
- J. Chevallier, B. Clerjand, B. Pajot. In: Semiconductors and Semimetals (San Diego, Academic Press, 1991) v. 34, p. 447
- F. Sarto, M. Capizzi, A. Frova. Semicond. Sci. Technol., 8, 1231 (1993)
- P.O. Holz, A.C. Ferreira, Q.X. Zhao, B. Monemar, M. Sundaram, K. Campman, J.L. Merz, A.C. Gossard. Shallow-Level Centers in Semiconductors (Amsterdam, North-Holland, 1996) p. 67
- T. Maeda, J.W. Lee, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, C. Constantine, R.J. Shul. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 510, 209 (1998)
- W.T. Masselink, Yia-Chung Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 32, 5190 (1985)
- G.C. Rune, P.O. Holtz, M. Sundaram, J.L. Merz, A.C. Gossard, B. Monemar. Phys. Rev. B, 44, 4010 (1991)
- L.E. Oliveira, G.D. Mahan. Phys. Rev. B, 47, 2406 (1993)
- D.C. Reynolds, C.E. Leak, K.K. Bajaj, C.E. Stutz, R.J. Jones, K.R. Evans, P.W. Yu, W.M. Theis. Phys. Rev. B, 40, 6210 (1989)
- J.A. Brum, C. Priester, G. Allan. Phys. Rev. B, 32, 2378 (1985)
- M.D. Pashley, K.W. Haberern, R.M. Feenstra, P.D. Kirchner. Phys. Rev. B, 48, 4612 (1993)
- C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and Applications (San Diego, Academic Press, 1991)
- Handbook of ion implantation technology, ed. by J.F. Ziegler (Amsterdam, Horth-Holland, 1992)
- H.F. Wong, D.L. Green, T.Y. Liu, D.G. Lishan, M. Bellis, E.L. Hu, P.M. Petroff, P.O. Holtz, J.L. Merz. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1906 (1988)
- R. Germann, A. Forchel, M. Bresch, H.P. Meier. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1475 (1989)
- S.M. Khanna, A. Jorio, C. Carlone, M. Parenteau, A. Houdayer, J.W. Gerdes. IEEE Trans. Nucl. Sci., 42, 2095 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук