"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационный отжиг арсенида галлия, имплантированного серой
Ардышев В.М.1, Ардышев М.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Ионы серы имплантировали в полуизолирующий GaAs. Проводили фотонный (805oC / (10-12) с) и термический (800oC / 30 мин) отжиги образцов GaAs под пленкой SiO2, полученной различными способами. Содержание компонентов GaAs в пленке определяли по спектрам резерфордовского обратного рассеяния, концентрационные профили электронов измеряли методом вольт-фарадных характеристик. Показано, что диффузия серы происходит в двух направлениях --- к поверхности и в объем GaAs. Первый процесс стимулирован вакансиями, образующимися вблизи поверхности полупроводника при нанесении диэлектрика. Коэффициент "объемной" диффузии и диффузии серы к поверхности при фотонном отжиге на 2 порядка выше, чем при термическом; выше также степень активации примеси.
  • В.М. Ардышев, М.В. Ардышев. ФТП, 32, 1153 (1998)
  • В.М. Ардышев, М.В. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
  • В.М. Ардышев, М.В. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 70 (2000)
  • В.М. Ардышев, Л.А. Козлова, О.Н. Коротченко, А.П. Мамонтов. А. с. N 235899 от 01.04.86
  • В.М. Ардышев, И.Е. Буркова, А.А. Ятис. Поверхность, N 3, 77 (1985)
  • J. Lindhard, M. Scharff, H. Schiott. Kgl. Danske Videnskab. Selskab. Mat. Fys. Medd, 33, 1 (1963)
  • F.H. Eisen, B.M. Velch. In: Ion Implantation in Semiconductors (N. Y., Plenum Press, 1977) p. 79
  • В.М. Ардышев. Автореф. канд. дис. (Томск, 1987)
  • Е.Д. Горнушкина, И.В. Кириллова, Р.Ш. Малкович. ФТТ, 24, 1088 (1982)
  • М.В. Ардышев. Автореф. канд. дис. (Томск, 2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.