"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перенос носителей заряда в пористом кремнии
Аверкиев Н.С.1, Казакова Л.П.1, Смирнова Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Проведено исследование переноса носителей заряда в слоях пористого кремния методом измерения времени пролета в режиме сильной инжекции в интервале температур T=290-350 K и напряженности электрического поля F=(1.5-1.7)· 104 В/см. Получено, что значения дейфовых подвижностей электронов и дырок составляют mue~2· 10-3 см2/В· с и muh~ 6· 10-4 см2/В· с при T=292 K и F=4· 104 В/см. Установлена экспоненциальная зависимость дрейфовой подвижности от температуры с энергией активации ~ 0.38 и ~ 0.41 эВ для электронов и дырок соответственно. Показано, что характер зависимостей от времени фототока, соответствующего дрейфу носителей заряда, и сверхлинейная зависимость времени пролета от величины, обратной приложенному к образцу напряжению, позволяют использовать представления о токе, ограниченном пространственным зарядом, в условиях аномального дисперсионного переноса. Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией ~0.03 эВ.
  • L.A. Balagurov, S.C. Bayliss, A.F. Orlov, B. Unal, D.G. Yarkin. Abstracts Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Madrid, Spain, 2000) p. 53
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • B. Das, S.P. McGinnis. Semicond. Sci. Technol., 14, 998 (1999)
  • J.A. Roger, M.G. Blanchin, B. Canut, V.S. Teodorescu, S. Letant, J.C. Vial. Semicond. Sci. Technol., 14, L29 (1999)
  • M. Stewart, E.G. Robins, T.W. Geders, M.J. Allen, H.Ch. Choi, J.M. Buriak. Abstracts Int. Conf. "Porous Semiconductors --- Science and Technology" (Madrid, Spain, 2000) p. 31
  • M. Balucani, V. Bondarenko, G. Lamedica, V.A. Yakovtseva, A. Ferrari. Appl. Phys. Lett., 74, 1960 (1999)
  • Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох. ФТП, 30, 1468 (1996)
  • E.A. Lebedev, E.A. Smorgonskaya, G. Polisski. Phys. Rev. B, 57, 14 607 (1998)
  • Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Смирнова. ФТП, 35, 93 (2001)
  • W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: М.А. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N. Y.--London, Academic Press, 1970)]
  • M. Silver, E. Snow, D. Wesson, K. Okamoto. J. Non-Cryst. Sol., 66, 237 (1984)
  • A.F. Rudenko, V.I. Arkhipov. Phil. Mag. B, 45, 189 (1982)
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  • В.И. Архипов, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 15, 712 (1981)
  • C.E. Nebel, R.A. Street. Phil. Mag. B, 67, 721 (1993)
  • J. Kov cka, O. Klima, E. v Sipek, C.E. Nebel, G.H. Bauer, G. Juv ska, M. Hoheisel. Phys. Rev. B, 45, 6593 (1992)
  • Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 609 (1997)
  • S. Komuro, T. Kato, T. Morikana, P. O'Keeffe, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys., 80, 1749 (1996)
  • V.I. Arkhipov, M.S. Iovu, A.I. Rudenko, S.D. Shutov. Phys. St. Sol. (a), 54, 67 (1979)
  • В.И. Архипов, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 21, 724 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.