"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение состояния атомов фосфора в решетке кремния при взаимодействии с радиационными дефектами
Болотов В.В.1, Камаев Г.Н.2, Смирнов Л.С.2
1Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследовано взаимодействие радиационных дефектов с атомами фосфора в кристаллах кремния в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и точечных дефектов при облучении электронами и отжигах. Показано, что при облучении кремния дозовые зависимости изменения концентрации фосфора в узлах (Ps) выходят на участки насыщения. При этом уровень насыщения определяется температурой облучения. Стадии восстановления концентрации Ps при отжигах коррелируют с температурными интервалами диссоциации вакансионных комплексов. Полученные результаты подтверждают наличие двух процессов: 1) взаимодействие атомов легирующей примеси с собственными межузельными атомами кремния и появление межузельных комплексов, т. е. радиационно-стимулированный распад пересыщенного раствора примеси при генерации точечных дефектов и ионизации; 2) растворение межузельной примеси в вакансиях при достаточно высоких температурах, или аннигиляция освобождающихся при отжиге вакансий с межузельными атомами, входящими в состав сложных дефектных комплексов с участием атомов фосфора.
  • В.И. Фистуль. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1977)
  • С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
  • В.П. Шаповалов, В.А. Городкин. ФТП, 25, 614 (1983)
  • R.O. Schwenker, E.S. Pan, R.F. Lever. J. Appl. Phys., 42, 3195 (1971)
  • M.L. Joshi, S. Dash. IBM J., 5, 271 (1967)
  • R.J. Jaccordine. J. Appl. Phys., 39, 3105 (1968)
  • С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
  • Р.М. Баязитов, В.Е. Борисенко, Д.А. Коновалов, И.Б. Хайбуллин, С.Г. Юдин. ФТП, 21, 1505 (1987)
  • В.И. Ободников, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 417 (1998)
  • J. Xia, T. Saito, R. Kim, T. Aoki, Y. Kamakura, K. Taniguchi. Japan. J. Appl. Phys., 38, 2319 (1999)
  • Л.С. Смирнов, В.В. Болотов, А.В. Васильев. ФТП, 13, 1443 (1979)
  • В.В. Болотов, В.А. Коротченко, А.П. Мамонтов, А.В. Ржанов, Л.С. Смирнов, С.С. Шаймеев. ФТП, 14, 2257 (1980)
  • В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Л.С. Смирнов. ФТП, 22, 210 (1988)
  • В.Д. Ахметов, В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Л.С. Смирнов. ФТП, 24, 72 (1990)
  • A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Progr. Phys., 44, 1297 (1981)
  • И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.