"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение матричного элемента оператора квазиимпульса в бесщелевом полупроводнике HgSe методом эффекта поля в электролите
Шевченко О.Ю.1, Раданцев В.Ф.2, Яфясов А.М.1, Божевольнов В.Б.1, Иванкив И.М.1, Перепелкин А.Д.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Методом эффекта поля в электролите (измерялись вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики) исследована система бесщелевой полупроводник HgSe--электролит (насыщенный раствор KCl). Предложен метод оценки величины матричного элемента оператора квазиимпульса P из ВФХ и найдено его значение при T=295 K для HgSe.
  • P. Tribolet, J.P. Chatard, P. Costa, A. Manissadjian. J. Cryst. Growth, 184--185, 1262 (1998)
  • G. Nimtz, J.X. Huang, J. Lange, L. Mester, H. Spieker. Semicond. Sci. Technol., 6, C130 (1991)
  • K.-U. Gawlik, L. Kipp, M. Skibowski, N. Orlowski, R. Manzke. Phys. Rev. Lett., 78, 3165 (1997)
  • M. von Truchsess, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr, E. Batke. Phys. Rev. B, 61, 1666 (2000)
  • D. Eich, D. Huebner, R. Fink, E. Umbach, K. Ortner, C.K. Becker, G. Landwehr, A. Fleszar. Phys. Rev. B, 61, 12 666 (2000)
  • Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., Энергоиздат, 1991)
  • П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
  • И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников (М., Наука, 1978)
  • Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
  • И.И. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы (М., Воениздат, 1982)
  • I. Stolpe, O. Portugall, N. Puhlmann, H.-U. Mueller, M. von Ortenberg, M. Von Truchsess, C.R. Becker, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr. Physica B, 294--295, 459 (2001)
  • В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
  • А.М. Яфясов, А.Д. Перепелкин, В.Б. Божевольнов. ФТП, 26, 636 (1992)
  • А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов, А.Д. Перепелкин. ФТП, 21, 1144 (1987)
  • А.М. Яфясов, В.В. Монахов, О.В. Романов. Вестн. ЛГУ. Сер. 4, 1, 104 (1986)
  • В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов. Вестн. ЛГУ. Сер. 4, 1, 18 (1989)
  • В.Ф. Раданцев. Письма в ЖЭТФ, 46, 157 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.