Исследованы причины уменьшения показателя идеальности n и увеличения обратного напряжения U_r структур с барьером Шоттки Au/n-n⁺-GaAs в результате обработки в атомарном водороде. Установлено, что вследствие обработки n-n⁺-GaAs в атомарном водороде существуют два процесса, приводящих к увеличению обратного напряжения U_r и уменьшению коэффициента идеальности n структур с барьером Шоттки. В первом случае увеличение U_r и уменьшение n происходит в результате понижения концентрационного профиля и образования обратного градиента концентрации ионизированной мелкой донорной примеси в n-слое, что вызвано пассивацией примеси водородом. Во втором случае увеличение U_r и уменьшение n связано с образованием тонкого (~8 нм) полуизолирующего приповерхностного слоя. В обоих случаях увеличение U_r и уменьшение n вызвано увеличением эффективной ширины потенциального барьера на контакте металл-полупроводник в результате изменения формы концентрационного профиля ионизированной мелкой донорной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.