Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью delta-легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 15 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
Рассматривается возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки при введении delta-легированного слоя вблизи контакта металл-полупроводник. Уменьшение эффективной высоты барьера связано с возрастанием роли туннелирования носителей через барьер. Для барьеров Шоттки к n-GaAs проведен полный квантово-механический численный расчет влияния параметров delta-слоя (концентрации и глубины залегания) на вольт-амперные характеристики модифицированных диодов. Сравнение полученных расчетных результатов с экспериментальными характеристиками диодов, изготовленных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, показывает достаточно хорошее согласие. Анализ проведенных исследований позволил выбрать оптимальные параметры delta-слоев для получения низкобарьерных диодов (~ 0.2 эВ) с удовлетворительным коэффициентом неидеальности (n=<q 1.5). На основе таких структур возможно изготовление микроволновых диодов для детектирования без смещения.
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
- G. Myburg, F.D. Auret, W.E. Meyer, C.W. Louw, M.J. van Staden. Thin Sol. Films, 325, 181 (1998)
- Т.А. Брянцева, В.Е. Любченко, Е.О. Юневич. Радиотехника и электроника, N 8, 1306 (1995)
- В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 57 (1997)
- S. Sassen, B. Witzigmann, C. Wolk, H. Brugger. IEEE Trans. Electron. Dev., 47, 24 (2000)
- E.F. Schubert, J.E. Cunnighum, W.S. Tsang, T.H. Chiu. Appl. Phys. Lett., 49, 292 (1986)
- M. Missous, T. Taskin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1848 (1993)
- R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 3623 (1991)
- J.M. Geraldo, W.N. Podrigues, G. Medeiros-Ribeiro, A.G. de Oliveira. J. Appl. Phys., 73, 820 (1993)
- Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973) [Пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solids, ed. by E. Burstein, S. Lundqvist (N. Y., Plenum Press, 1969)]
- V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (ISDRS ) (Charlottseville, USA, 1997) p. 147
- В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, Е.А. Вопилкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, А.В. Масловский, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин. Матер. 7-й Росс. конф. " Арсенид галлия" (Томск, 1999) с. 175
- I.H. Tan, G.L. Snider, E.L. Hu. J. Appl. Phys., 68, 4071 (1990)
- В.Я. Алешкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 32, 733 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
