Слои аморфного кремния, полученные имплантацией ионов водорода с энергией 24 кэВ в SiO2/Si и Si дозами соответственно 2.7· 1017 и 2.1· 1017 см-3, исследованы методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов. Установлено, что при имплантации происходит аморфизация приповерхностного слоя кремния толщиной до 150--200 нм. Имплантация ионов водорода в кремний с пленкой окисла на поверхности приводит к формированию слоя гидрогенизированного кремния, имеющего большую температурную стабильность.
E. Edelberg, S. Bergh, R. Naone, M. Hall, E.S. Aydil. J. Appl. Phys., 81, 2410 (1997)
R.M. Hauser, N. Jensen, R.B. Bergman, U. Rau, J.H. Werner. Sol. St. Phenomena, 67-68, 551 (1999)
R.W. Collins, B.G. Yacobi, K.M. Jones, Y.S. Tsuo. J. Vac. Sci. Technol. A 4, 153 (1986)
I.V. Antonova, V.P. Popov, A.K. Gutakovsky, K.S. Zhuravlev, E.V. Spesivtsev, I.I. Morosov. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.S. Borisenko (Wold Scientific, 1999) p. 55
E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, V.R. Galakhov, G. Wiech, E. Majkova, S. Luby. J. Mater. Res., 10, 907 (1995)
V.R. Galakhov, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, L.V. Elokhina, Yu.M. Yarmoshenko, A.A. Bukharaev. Appl. Surf. Sci., 72, 73 (1993)
E.Z. Kurmaev, V.R. Galakhov, S.N. Shamin. Critical Rev. in Sol. State and Mater. Sci., 23, 65 (1998)
V.R. Galakhov, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, V.V. Fedorenko, L.V. Elokhina, J.C. Pivin, S. Zaima, J. Kojima. Thin Sol. Films, 350, 143 (1999)
E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, S.N. Shamin, A.V. Postnikov, G. Wiech, Y. Kim. Physica Scripta, T41, 288 (1992)
T. Hara, Y. Kakizaki, S. Oshima, T. Kitamura. Electrochem. Soc. Proc., 97-23, 33 (1998)