Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль вакансий кремния в формировании барьеров Шоттки на контактах Ag и Au с 3C- и 6H-SiC

Давыдов С.Ю.¹, Лебедев А.А.¹, Посредник О.В.², Таиров Ю.М.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 ноября 2001 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе, применена к расчету высоты барьеров Phiⁿ_b в системах Ag, Au / 3C-, 6H-SiC. Получено отличное согласие с данными эксперимента. Расчет показал также, что концентрация кремниевых вакансий, которые и определяют величину Phiⁿ_b, слабо зависит от природы металлического компонента контакта.

Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17, 1757 (1983)
J.R. Waldrop, R.W. Grant. Appl. Phys. Lett., 56, 557 (1990)
J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72, 4757 (1992)
J.R. Waldrop, R.W. Grant. Appl. Phys. Lett., 62 , 2685 (1993)
J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75, 4548 (1994)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
R. Ludeke, G. Jezequel, A. Tabel-Ibrahimi. Phys. Rev. Lett., 61, 601 (1989)
R. Ludeke. Phys. Rev. B, 40, 1947 (1989)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов. ФТП. 31, 597 (1997)
А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
P. Deak, A. Gali, J. Miro, R. Guiterrez, A. Sieck, Th. Frauenheim. Mater. Sci. Forum, 264--268, 279 (1998). Trans. Tech. Publications, Switzerland
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
D.M. Newns. Phys. Rev., 178 1123 (1969)
W. Monch. Rep. Prog. Phys., 53, 221 (1990)
М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория (М., Мир, 1984)
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983)
W. Monch. Europhys. Lett., 7, 275 (1988)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 2749 (1995)
С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 68, 361 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель