Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спонтанное и вынужденное излучение тонкопленочных нанорезонаторов ZnO--SiO₂--Si, полученных методом магнетронного напыления

Грузинцев А.Н.¹, Волков В.Т.¹, Бартхоу К.², Беналул П.²

¹Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

²Университет им. П. и М. Кюри, Париж, Франция

Поступила в редакцию: 28 ноября 2001 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования спектров спонтанного и вынужденного излучения в нанослоях оксида цинка на окисленном кремнии при оптической накачке. Наблюдался режим одномодовой лазерной генерации ультрафиолетового излучения с длиной волны 397 нм на связанной продольной моде пленки ZnO при комнатной температуре. Найдены оптимальные параметры тонкопленочных нанорезонаторов типа ZnO-SiO₂-Si для понижения порога и реализации одномодового режима лазерной генерации.

Y. Chen, D.M. Bagnall, Z. Zhu, T. Sekiuchi, K.J. Park. J. Cryst. Growth, 181, 165 (1997)
Y.R. Ray, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, 419 (2000)
J.R. Tuttle, M.A. Contreras, T.J. Gillespie, R.K. Garbor, R. Noufi. Progr. Photovoltaics Research and Application, 3, 235 (1995)
D.M. Bagnall, Y.F. Chen, Z. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 73, 1038 (1998)
D.M. Bagnall, Y.F. Chen, M.Y. Shen, Z. Zhu, T. Goto, T. Yao. J. Cryst. Growth, 184/185, 605 (1998)
P. Zu, G.K. Tang, K.L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo. Sol. St. Commun., 103, 459 (1997)
P. Yu, K. Tang. K.L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohmoto, H. Koinuma. J.Cryst. Growth, 184/185, 601 (1998)
Integrated optics, ed. by T. Tamir (Springer, 1975) p. 344

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель