Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые gamma-облучением
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 4 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Проводимость собственного аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H) после gamma-облучения возрастает. Этот эффект обусловлен увеличением количества метастабильных состояний D+ в щели подвижности. Проводимость несобственного (нелегированного) облученного a-Si : H уменьшается. Вероятно, что gamma-облучение создает в этом материале комплексы, включающие водород. Обсуждается сравнение этих результатов с известными данными для a-Si : H, легированного B или P.
- М.С. Аблова, Г.С. Куликов, С.К. Першеев. ФТП, 32, 245 (1998)
- О.А. Голикова. ФТП, 31, 281 (1997)
- M. Gunes, C.R. Wronski, T.J. McMahon. J. Appl. Phys., 76, 2260 (1994)
- M. Gunes, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 81, 3526 (1997)
- R.A. Street, J.R. Kakalios, C.C. Tsaj, T.M. Hayes. Phys. Rev. B, 35, 1316 (1987); Phys. Rev. B, 34, 3030 (1986)
- Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). т. 2, с. 424
- O. Imagawa, K. Yasuda, A. Yoshida. J. Appl. Phys., 66, 4719 (1989)
- D.L. Staebler, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 51, 3262 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
