Методом электростатической силовой микроскопии изучено распределение потенциала в эпитаксиально-диффузионном n⁺-n-p-p⁺-кремниевом диоде. Исследования методом электростатической силовой микроскопии проводились на сколе диода, пересекающем формирующие его слои. Первоначально были найдены распределения потенциала и емкости по поверхности скола. По вариациям поверхностного потенциала и емкости с субмикронным пространственным разрешением были определены положение и протяженность n-p-перехода и прослежено распределение в диоде приложенного прямого смещения. Обнаружено существование в исследовавшейся структуре заметного дополнительного потенциального барьера в области n⁺-n-перехода с подложкой. При плотности тока инжекции более 100 мА/см² падение потенциала на этом барьере становится сопоставимым с изменениями потенциала на рабочем n-p-переходе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.