Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Скрытые наноразмерные дефектные слои, сформированные в кристаллах Si и SiC высокодозной имплантацией протонов

Козлов В.А.¹, Козловский В.В.², Титков А.Н.¹, Дунаевский М.С.¹, Крыжановский А.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование скрытых наноразмерных дефектных слоев, сформированных в кристаллах Si и SiC имплантацией водорода с энергией 50 и 100 кэВ. Показана высокая чувствительность использованного метода атомно-силовой микроскопии для обнаружения начальных стадий развития водородсодержащих пор и микротрещин в подповерхностных слоях облученных кристаллов, а также для исследования процессов расслаивания кристаллов вдоль плоскости микротрещин. В результате были получены количественные критерии условий создания скрытых дефектных слоев в исследованных кристаллах, необходимые для реализации процессов блистеринга и "Smart-Cut".

M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
Н.Н. Герасименко. Тр. Первой Московской межд. школы физики ИТЭФ (Звенигород, УФН, 1998) с. 173
А.И. Баранов. В сб.: Радиационные эффекты в полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1979) с. 28
Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
В.Р. Галахов, И.В. Антонова, С.Н. Шамин, В.И. Аксенова, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, В.П. Попов. ФТП, 36, 598 (2002)
П.А. Александров, Е.К. Баранова, И.В. Баранова, В.В. Бударагин, В.Л. Литвинов, В.А. Резвов, Л.И. Юдин. Тр. XI Межнац. совещ. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, МИЭМ, 2001) с. 351
Q.-Y. Tong, R.B. Bower. MRS Bulletin, December 1998, p. 40
F.A. Reboredo, S.T. Pantefides. Sol. St. Phenomena, 69--70, 83 (1999)
В.В. Козловский, В.А. Козлов. ФТП, 33, 1409 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель