Проведенные исследования показали, что структура пленки a-Si : H(Er), используемой в качестве рабочего слоя в электролюминесцентной структуре, является столбчатой. Диаметры столбов лежат в интервале 60--100 Angstrem. Проводимость в такой структуре различается в зависимости от направления тока. При комнатной температуре в планарной геометрии транспорт осуществляется с помощью механизма перескоков по локализованным состояниям вблизи края зоны проводимости, в пределах "хвоста" зоны. В сэндвич-геометрии проводимость осуществляется по границам столбов, где проводимость выше, по механизму прыжковой проводимости на уровне Ферми.
M.S. Bresler, O.B. Gusev, V. Kh. Kudoyarova. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
J.H. Shin, R. Serna, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
A.R. Zanatta, Z.A. Nunes, L.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70, 997 (1997)
Rare Earth Doped Semiconductors, Proc. E-MRC Spring Conf. (Strasbourg, France, May 30--June 2, 2000)
O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, M.S. Bresler. Appl. Phys. Lett., 70, 240 (1997)
О.И. Коньков, А.Н. Кузнецов, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, Л.С. Границына. Письма ЖТФ, 27 (13), 30 (2001)
М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38 (4), 1189 (1996)
E.I. Terukov, O.I. Konkov, V.Kh. Kudoyarova, K.V. Koughia, G. Weiser, H. Kuehne, J.P. Kleider, C. Longeaud, R. Bruggemann. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 614 (2000)
P.G. Le Comber, W.E. Spear. Phys. Rev. Lett., 25, 509 (1970)
В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, О.Б. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, В. Фус, Г. Вейзер, Х. Кюне. ФТП, 32 (11), 1384 (1998)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ. (М., Мир, 1974) с. 162
P.G. Le Comber, A. Madan, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 20, 239 (1972)
А.А. Андреев, О.А. Голикова, М.М. Казанин, О.И. Коньков, М.М. Мездрогина, В.А. Фейгельман. ФТП. 15 (6), 1210 (1981)
А.А. Андреев, О.И. Коньков, Н.А. Феoктистов, Т. Тургунов. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 2, 87 (1985)
R. Messier, R.C. Ross. J. Appl. Phys., 53, 6220 (1982)
J.C. Knight, R.A. Lujan. Appl. Phys. Lett., 35, 244 (1979)
R.C. Ross, R. Messier. J. Appl. Phys., 52, 5329 (1981)
О.И. Коньков, Е.И. Теруков, Л.С. Границина. ФТП, 35 (10), 1250 (2001)
R.A. Gresswell, M.M. Perlmann. J. Appl. Phys., 41, 2365 (1970)
S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
В.С. Лысенко, И.П. Тягульский, И.Н. Осиюк, А.Н. Назаров. Я.Н. Вовк, Ю.В. Гоменюк, Е.И. Теруков, О.И. Коньков. ФТП, 35 (6), 649 (2001)
J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников, пер. с англ. (М., Мир, 1991) с. 93