Исследованы структурные свойства нанообъектов в гетероэпитаксиальной системе Si / Ge0.3Si0.7 / Ge методом атомно-силовой микроскопии. Установлено, что образование нанометровых островков происходит при меньших толщинах осажденного Ge, чем в случае Si / Ge гетероэпитаксии. Обнаружены эффекты пространственного упорядочения наноструктур: образование hut-кластерами групп вокруг кратеров на начальной стадии образования трехмерных объектов и выстраивание dome-кластеров в ряды при повышении количества осажденного Ge.
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (Willey, Chichester, 1998)
G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, С.А. Масалов, А.О. Голубoк. ФТП, 33, 733 (1999)
J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
O.G. Schmidt, N.Y. Jin-Phillipp, C. Lange, U. Denker, K. Eberl, R. Schreiner, H. Grabeldiner, H. Schweizer. Appl. Phys. Lett., 77, 4139 (2000)
D.D. Chambliss, R.J. Wilson, S. Chiang. Phys. Rev. Lett., 66, 1721 (1991)
Г.Э. Цырлин, П. Вернер, У. Гёзеле, Б.В. Воловик, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (1) 31 (2001)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
A. Madhukar. Surf. Sci., 132 344 (1983)
P. Smilauer. Vacuum, 50, 115 (1998)