Исследованы инжекционные лазеры с активной областью на основе нескольких рядов самоорганизующихся квантовых точек на подложках GaAs, излучающие, в зависимости от количества рядов квантовых точек и уровня оптических потерь, в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Продемонстрирована рекордная внешняя дифференциальная эффективность 88% и характеристическая температура порогового тока 145 K. Внутренние потери, а также пороговые и спектральные характеристики соотнесены с оптическим усилением и эффективностью излучательной рекомбинации, зависящими от дизайна активной области и режимов ее выращивания.
G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 230 (2000)
G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36, 1272 (2000
A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Selected Topics in Electronics and Systems, v. 16. Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics, ed. by M. Dutta, M.A. Stroscio (World Scientific, Singapore, 2000) p. 263
Yu.M. Shernyakov, D.A. Bedarev, E.Yu. Kondrat'eva, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, M.V. Maximov, S.S. Mikhrin, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 898 (1999)
G. Park, O.B. Shchekin, S. Csutak, D.L. Huffater, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 75, 3267 (1999)
G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, K.J. Malloy, L.F. Lester. Electron. Lett., 35, 1163 (1999)
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
F. Klopf, J.P. Reithmaier, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 1419 (2000)
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 1845 (1999)
X. Huang, A. Stinz, C.P. Hains, G.T. Liu, J. Cheng, K.J. Malloy. Electron. Lett., 36, 41 (2000)
H. Chen, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Electron. Lett., 36, 1703 (2000)
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, Yu.M. Shernyakov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 75, 1926 (1999)
V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
P.M. Smowton, P. Blood. IEEE J. Quant. Electron., 3, 491 (1997)
P. Blood. In: Physics and technology of heterostructure devices, ed. by D.V. Morgan, R.H. Williams (Peter Perigrinus, 1991) Ch. 7, p. 231