Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О глубоком донорном уровне в n-GaAs по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении

Даунов М.И.¹, Залибеков У.З.¹, Камилов И.К.¹, Моллаев А.Ю.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 21 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических зависимостях электросопротивления и коэффициента Холла при всесторонних давлениях от атмосферного до 18 ГПа в n-GaAs. В интервале давлений 10≤ P≤ 18 ГПа обнаружен глубокий донорный центр. Обсуждаются положение его уровня энергии относительно края Gamma-долины зоны проводимости при атмосферном давлении и его принадлежность вакансии мышьяка.

М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП, 35 (1), 58 (2001)
M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov, S.F. Gabibov. Phys. Status Solidi B, 235 (2), 297 (2003)
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46 (10), 1766 (2004)
И.К. Камилов, С.Ф. Габибов, М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев. ФТП, 45 (12), 1604 (2011)
W. Paul. Proc. 9th Int. Conf. Semicond (Moscow, 1968) v. 1, p. 51
V.A. Telejkin, K.B. Tolpigo. Semiconductors, 16, 1337, (1982)
In-Hwan Chor, Y.Yu. Peter. Phys. Statis Solidi B, 211, 143 (1999)
J.Z. Jiang, J. Staun Olsen, L. Gerward, S. Steenstrup. High Pressure Res., 22, 395 (2002)
G.D. Pitt, J. Lees. Phys. Rev. B, 2 (10), 4144 (1970)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV группы (М., Мир, 1967)
В.Д. Прочухан. Матер. VI Зимней школы по физике полупроводников (Л., 1974)
В.Н. Брудный Изв. вузов, 39 (8), 84 (1986)
G.M. Martin, S. Makram-Ebeid. In: Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Gordon \& Breach, 1986) p. 399
M. Baumler, U. Kaufmann, J. Windscheif. Appl. Phys. Lett., 46, 581 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель