"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Регистрация U--центров в пленках g-As2Se3 с помощью термоциклических измерений электропроводности
Егармин К.Н.1, Еганова Е.М.2, Воронков Э.Н.1
1Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Закрепление уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны является одним из основных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. В большинстве моделей предполагается, что закрепление обусловлено присутствием сильно поляризующих решетку заряженных дефектов (U-центров) с энергетическими уровнями вблизи уровня Ферми. Для регистрации U--центров в работе применена методика термоциклирования, позволившая значительно увеличить время регистрации заряда, освобождаемого этими центрами. Представлены результаты измерений электропроводности пленок As2Se3 во время последовательных циклов охлаждения и нагрева образца, которые привели к появлению и эволюции двух дискретных пиков. Сделано заключение, что по крайней мере один из них обусловлен отрицательно заряженными U--центрами, расположенными вблизи уровня Ферми.
  • N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Clarendon PREE, Oxford, 1979)
  • P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  • Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 577 (2012)
  • Н.Т. Баграев, Л.Н. Блинов, В.В. Романов. ФТТ, 44 (5), 785 (2002)
  • M. Naradone, V.I. Kozub, I.V. Karpov, V.G. Karpov. Phys. Rev. B, 79, 165 206 (2009)
  • R.A. Street, A.D. Yoffe. Thin Sol. Films, 11, 161 (1972)
  • A.E. Owen, W.E. Spear. Phys. Chem. Glasses, 17, 174 (1976)
  • V.I. Mikla, V.V. Mikla. Metastable States in Amorphous Chalcogenide Semiconductors (Springer Series in Materials Science, ed. by R. Hull, R.M. Osgood, jr., J. Parisi, H. Warlimont). ISBN 978-3-642-02744-4 (Springer, 2012)
  • D. Vanderbilt, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, 23 (6), 2596 (1981)
  • S.G. Bishop, U. Storm, P.C. Taylor. Phys. Rev. B, 15, 2278 (1977)
  • S. Lai. Int. Electron Devices Meet., Tech. Dig. (2003) 10.1.1, p. 255
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.