"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика электронных процессов в gamma-облученных (60Co) монокристаллах n-Ge
Гайдар Г.П.1
1Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Исследованы изменения основных электрофизических параметров под влиянием gamma-облучения (60Co) в монокристаллах n-Ge с разным уровнем легирования. В определенном концентрационном интервале легирующей примеси обнаружено заметное повышение подвижности носителей заряда в облученных образцах и предложено объяснение природы полученного эффекта. Показано, что изменения подвижности электронов под влиянием gamma-облучения, которые возникают в исходных кристаллах n-Ge с примесью кислорода и в кристаллах, подвергнутых отжигу, противоположны по знаку. Установлена решающая роль кислородных комплексов, которые образуются в процессе термообработки в образцах, и локальных механических напряжений решетки в окрестности таких комплексов в появлении эффекта радиационно-стимулированного повышения подвижности. Выяснено, что радиационная стойкость подвижности электронов существенным образом зависит от кристаллографической ориентации исследуемых образцов.
  • A.C. Beer. Galvanomagnetic Effects in Semiconductors (N.Y.--London, Academinc Press Inc., 1963)
  • C.S. Fuller, W. Kaiser, C.D. Thurmond. J. Phys. Chem. Sol., 17 (3--4), 301 (1961)
  • П.I. Баранський, В.В. Гайдученко, В.О. Шершель. УФЖ, 15 (7), 1192 (1970)
  • V.M. Babich, P.I. Baranskii, V.A. Shershel. Phys. Status. Solidi, 42 (1), K23 (1970)
  • Е.Н. Видалко, Г.П. Гайдар, В.А. Гирий. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 22 (4), 533 (1986)
  • В.В. Емцев, М.И. Клингер, Т.В. Машовец. Письма ЖЭТФ, 19 (9), 575 (1974)
  • В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашов. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  • А.А. Гроза, П.Г. Литовченко, М.И. Старчик. Эффекты радиации в инфракрасном поглощении и структуре кремния (Киев, Наук. думка, 2006) (на укр.)
  • В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  • П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.