Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 9 » Статья стр. 1249
<<<>>>
Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge
Андреев В.М.1, Гребенщикова Е.А.1, Дмитриев П.А.1, Ильинская Н.Д.1, Калиновский В.С.1, Контрош Е.В.1, Малевская А.В.1, Усикова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.
PDF версия
Исследованы фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge в зависимости от метода формирования чипа фотоэлемента. Показано, что применение разработанной постростовой технологии разделения на чипы наногетероструктуры в едином процессе позволяет повысить качество пассивации боковой поверхности мезы чипов, что обеспечивает уменьшение поверхностных токов утечки и увеличение выхода приборов с улучшенными характеристиками.
  1. R.R. King, D. Bhusari, D. Larrabee, X.-Q. Liu, E. Rehder, K. Edmondson, H. Cotal, R.K. Jones, J.H. Ermer, C.M. Fetzer, D.C. Law, N.H. Karam. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 20, 801 (2012)
  2. http://www.sj-solar.com
  3. В.М. Андреев, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, В.С. Калиновский, М.З. Шварц. Тр. REENFOR-2013 (М., 2013) с. 65
  4. В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
  5. V.S. Kalinovsky, V.V. Evstropov, et al. Proc. 24th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Humburg, Gemany, 2009) p. 733
  6. V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky et al. Proc. 25th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. and 5th World Conf. on Photovolt. Energy Conversion (Valencia, Spain, 2010) p. 979
  7. В.М. Андреев, Н.Д. Ильинская, А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров. Патент RU No 2354009, МПК H01L 31/18. Опубликован 27.04.2009
  8. В.М. Андреев, Е.А. Гребенщикова, В.С. Калиновский, Н.Д. Ильинская, А.В. Малевская, А.А.Усикова, Ю.М.Задиранов. Патент RU No 2485628 С1, МПК H01L 31/18. Опубликован 20.06.2013
  9. В.В. Мамутин, В.М. Устинов, J. Boetthcher, H. Kuenzel. ФТП, 44 (7), 995 (2010)
  10. D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, K. Kohler. Appl. Phys. Lett., 93, 221 106 (2008)
  11. Q. Song, H. Cao, S.T. Ho, G.S. Solomon. Appl. Phys. Lett., 94, 061 109 (2009)
  12. M. Bouttemy, A. Causier, I. Gerard, P. Tran Van, J. Vigneron, A. Etcheberry. Proc. 13th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI) (Prague, Czech Republic, 2011) р. 71
  13. Я.А. Угай. Введение в химию полупроводников (М., Высш. шк., 1975) с. 276
  14. В.М. Андреев, Е.А. Гребенщикова, П.А. Дмитриев, Н.Д. Ильинская, В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, А.В. Малевская, А.А. Усикова. Тез. докл. XI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., Россия, 2013) с. 442

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme