Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования релаксации избыточного тока кремниевых диодов Шоттки

Пашаев И.Г.¹

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 9 января 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Посвящена исследованию релаксации избыточного тока кремниевых alpha-NiTi-n-Si диодов Шоттки, подвергнутых gamma-облучению либо локальному нарушению структуры границы раздела с помощью алмазного индентора. Уменьшение избыточного тока диода достигалось как с помощью термоотжига, так и путем ультразвукового облучения. Параллельно исследовались параметры солнечных элементов, изготовленных из указанных диодов Шоттки, подвергнутых gamma-облучению и однократному либо двукратному ультразвуковому облучению. Было показано, что после воздействия алмазным индентором избыточный ток диода уменьшен, путем термоотжига, однако уменьшение избыточного тока к исходной величине не достигается. Фотоэлектрические параметры исследованных солнечных элементов до облучения, после gamma-облучения и однократного или двукратного ультразвукового облучения, показывают, что ультразвуковые обработки более эффективны, чем термоотжиг.

K.T.Y. Kung, I. Suni, M.A. Nikolet. J. Appl. Phys. 55, 10 (1984)
Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 43 (8), 1116( 2009)
И.Г. Пашаев. ФТП, 47 (6), 761 (2013)
В.Л. Августимов, Т.Н. Белоусова, С.И. Власкина. ОПТ. N 30, 120 (1995)
И.В. Островский, Л.П. Стебленко, А.Б. Надточий. ФТП, 34 (3), 257 (2000)
И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, Р.В. Конакова. ПЖТФ, 22 (6), 33 (1996)
И.Г. Пашаев. ФТП, 46 (8), 1108 (2012)
П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Л.Г. Лигай. Письма ЖТФ, 29 (9), 83 (2003)
Т.В. Критская, И.Г. Пашаев. Науч. тр. ЗГИА "Металлургия" (Запорожье), 3 (28), 138 (2012)
Т.Дж. Коутс, Дж.Д. Микин. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики (М., Мир, 1988) c. 307
А.Н. Гонтарук, Д.В. Корбутяк, Е.В. Корбут. Письма ЖТФ, 24 (15), 64 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель