"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Методы оценки концентрации компенсирующей примеси в германии, легированном ртутью
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова (факультет точных наук и инновационных технологий), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

На основании анализа результатов измерений постоянной Холла и подвижности в широком диапазоне температур в образцах германия, легированного ртутью, предложены методы оценки концентрации компенсирующей примеси из участков кривых, соответствующих температурам T>50 K. Делается вывод, что в указанном интервале температур локальные образования ртути в матрице образца ионизованы и оба метода применимы вне зависимости от химической природы примеси.
  • В.Ф. Банная, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Л. Луговая. ФТП, 27, 1661 (1993)
  • В.Ф. Банная, Е.М. Гершензон, Л.А. Гончаров, Л.П. Орлова, С.Л. Орлов. ФТП, 15, 1264 (1981)
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон. ФТП, 23, 338 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.