Исследованы особенности выращивания гетерокомпозиции GaN/AlN/Si, в которой слои нитридов элементов III группы выращены на кремниевой подложке методом хлорид-гидридной эпитаксии. Рассмотрено влияние температуры выращивания буферного слоя AlN на диффузионные процессы на гетерограницах и на качество выращиваемых эпитаксиальных слоев. Показано, что при используемом методе эпитаксии буферный слой должен выращиваться при высоких температурах (1080oC), поскольку при этом минимизируется толщина области перемешивания компонентов и формируются резкие границы раздела в гетерокомпозиции GaN/AlN/Si. Двухстадийное выращивание нитрида галлия на высокотемпературном буферном слое AlN толщиной 300-400 нм позволяет получать слои GaN толщиной до 0.3 мкм без образования трещин.
D. Zhu, D.J. Wallis, C.J. Humphreys. Rep. Progr. Phys., 76, 106 501 (2013)
K. Hiramatsu. In: Advances in Crystal Growth Research, ed. by K. Sato, Y. Furukawa and K. Nakajima (Amsterdam, Elsevier, 2001) p. 210
X. Dong-Juan, Z. You-Dou, C. Peng, Z. Zuo-Ming, C. Ping, X. Shi-Yong, J. Ruo-Lian, S. Bo, G. Shu-Lin, Z. Rong. Chin. Phys. Lett., 19, 543 (2002)
H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 050 001 (2013)
G. Radtke, M. Couillard, G.A. Botton, D. Zhu, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 100, 011 910 (2012)
G. Radtke, M. Couillard, G.A. Botton, D. Zhu, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 97, 251 901 (2010)
B.S. Zhang, M. Wu, X.M. Shen, J. Chen, J.J. Zhu, J.P. Liu, G. Feng, D.G. Zhao, Y.T. Wang, H. Yang. J. Cryst. Growth, 258, 34 (2003)
S. Raghavan, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 261, 294 (2004)
Y. Lu, X. Liu, X. Wang, D.-C. Lu, D. Li, X. Han, G. Cong, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 263, 4 (2004)
Yu.V. Melnik, A.E. Nikolaev, S. Stepanov, I.P. Nikitina, K. Vassilevski, A. Ankudinov, Yu. Musikhin, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1121 (1998)
V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, T. Lang, O.V. Konstantinov. Phys. Status Solidi A, 203, R25 (2006)