Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)

Мизеров А.И.¹, Кладько П.Н.¹, Никитина Е.В.¹, Егоров А.Ю.¹

¹Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 июня 2014 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований кинетики роста слоев AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота с использованием подложек Si(111). Показана возможность роста отдельных наноколонн AlN/Si(111) при использовании с обогащением металлом условий роста вблизи режима образования капель Al при температуре подложки, близкой к максимальной при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (T_s~850^oC). Показана возможность роста гладких слоев AlN на наноколончатом буфере AlN/Si(111) при использовании T_s~750^oC и условий роста с обогащением металлом.

A. Bourret, A. Barski, J. L. Rouviere, G. Renaud, A. Barbier. J. Appl. Phys., 83, 2003 (1998)
Kuang-Yuan Hsu, Hung-Chin Chung, and Chuan-Pu Liu, Li-Wei Tu. Appl. Phys. Lett., 90, 211 902 (2007)
G. Koblmueller, R. Averbeck, L. Geelhaar, H. Riechert, W. Hosler, P. Pongratz. J. Appl. Phys., 93, 9591 (2003)
M.D. Brubaker, I. Levin, A.V. Davydov, D.M. Rourke, N.A. Sanford, V.M. Bright, K.A. Bertness. J. Appl. Phys., 110, 053 506 (2011)
G. Ferro, H. Okumura, T. Ide, S. Yoshida. J. Cryst. Growth, 210, 429 (2000)
A.R.K. Getty, A. David, Y. Wu, C. Weisbuch, J.S. Speck. Jpn. J. Appl. Phys., 46, L767 (2007)
V.N. Jmerik, A.M. Mizerov, D.V. Nechaev, P.A. Aseev, A.A. Sitnikova, S.I. Troshkov, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 354, 188 (2012)
O. Landre, R. Songmuang, J. Renard, E. Bellet-Amalric, H. Renevier, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., 93, 183 109 (2008)
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L459 (1997)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Eltrochem. Soc., 133, 666 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель