Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Теоретически и экспериментально исследованы гетероструктуры InGaAs/GaAs, содержащие квантовые ямы и delta-легированные слои. На основе процедуры самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона проведены численные расчеты дифференциальной емкости и эффективных профилей концентрации электронов в структурах с различным взаимным расположением квантовой ямы и delta-слоя. Проведено сравнение расчетов с результатами анализа измеренных вольт-фарадных характеристик вышеуказанных структур. Выявлены закономерности поведения профилей наблюдаемой концентрации и вида вольт-фарадных характеристик в зависимости от геометрии структуры, температуры, степени легирования.
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров и др. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
- Р.А. Хабибулин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
- П.Н. Брунков, A.A. Гуткин и др. ФТП, 45 (6), 829 (2011)
- H. Kroemer, Wu-Yi Chien, J.S. Harris, jr., D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36 (4), 295 (1980)
- А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43 (10), 1368 (2009)
- О.А. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45 (2), 226 (2011)
- V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev. Phys. Rev. B, 70, 075 312 (2004)
- И.А. Карпович, С.В. Тихов, Л.А. Истомин и др. Вестн. Нижегор. ун-та им. Н.И. Лобачевского, 1, 25 (2008)
- Г.П. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, КГУ, 1967)
- P.N. Brunkov, T. Benyattou, G. Guilot. J. Appl. Phys., 80 (2), 864 (1996)
- A. Abou-Elnour, K. Schunemann, J. Appl. Phys., 74 (5), 3273 (1993)
- С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, С.В. Хазанова. ФТП, 46 (12), 1532 (2012)
- С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, В.Е. Дегтярев. ФТП, 46 (12), 1561 (2012)
- C.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Б.Н. Звонков, Ю.А. Дроздов, Д.С. Смотрин, В.Г. Тестов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 12, 19 (2012)
- Н.С. Волкова, С.В. Тихов, А.П. Горшков, Н.В. Байдусь, В.Е. Дегтярев. Тр. XVII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2014) т. 2.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
