Проведено исследование особенностей выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GeSn на пластинах кремния ориентации (100), покрытых буферным слоем германия. Дифракция быстрых электронов на отражение, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифрактометрия, резерфордовское обратное рассеяние и комбинационное рассеяние использованы для контроля свойств выращенных структур. Показано, что слои GeSn с мольной долей олова до 0.073 и толщиной до 0.5 мкм не проявляют признаков пластической релаксации при эпитаксии. В плоскости роста размер кристаллической решетки GeSn в точности совпадает с размером решетки германия. Исследовано влияние быстрого термического отжига образцов на процесс перехода слоев GeSn из метастабильного упругонапряженного состояния к пластически релаксированному состоянию. Получены квантовые ямы Ge/GeSn с мольной долей олова до 0.11.
S. Ogus, W. Paul, T.F. Deutsch, B.Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
R.A. Sofer, L. Friedman. Superlat. Microstruct., 14, 189 (1993)
O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
G. He, H.A. Atwater. Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997)
J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
R. Ragan, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 77, 3418 (2000)
G. Grzybowski, R.T. Beeler, L. Jiang, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 101, 072 105 (2012)
J. Mathews, R. Roucka, J. Xie, S.-Q. Yu, J. Menendez, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 95, 133 506 (2009)
S. Su, B. Cheng, C. Xue, W. Wang, Q. Cao, H. Xue, W. Hu, G. Zhang, Y. Zuo, Q. Wang. Opt. Express, 19, 6400 (2011)
M.R. Bauer, C.S. Cook, P. Aella, J. Tolle, J. Kouvetakis, P.A. Crozier, A.V.G. Chizmeshya, D.J. Smith, S. Zollner. Appl. Phys. Lett., 83, 3489 (2003)
H. Lin, R. Chen, W. Lu, Y. Huo, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 100, 102 109 (2012)
Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский. Изв. РАН. Сер. физ., 78, 47 (2014)
J.W. Mattehews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
R. People, J. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
F.Y. Huang. Phys. Rev. Lett., 85, 787 (2000)
H. Lin, R. Chen, Y. Huo, T.I. Kamins, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 98, 261 917 (2011)
V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk. ФТП, 36, 1153 (2002)
A. Krost, G. Bauer, J. Woitok. In: High Resolution X-ray Diffraction in Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers, ed. by G. Bauer, W. Richter (Springer, 1996) p. 287