Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge

Алешкин В.Я.^1,2, Дикарева Н.В.³, Дубинов А.А.^1,2, Звонков Б.Н.³, Кудрявцев К.Е.^1,2, Некоркин С.М.³

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С использованием метода лазерного распыления выращена светодиодная структура на основе GaAs с 8 узкими квантовыми ямами Ge. Обнаружена линия электролюминесценции с преимущественно параллельной слоям структуры поляризацией, соответствующая прямым в импульсном пространстве оптическим переходам в квантовых ямах Ge.

R.L. Anderson. IBM J. Res. Dev., 4, 283 (1960)
W.A. Harrison, E.A. Kraut, J.R. Waldrop, R.W. Grant. Phys. Rev. B, 18, 4402 (1978)
H. Kroemer. J. Cryst. Growth, 81, 193 (1987)
S.L. Wright, H. Kroemer, M. Inada. J. Appl. Phys., 55, 2916 (1984)
Y. Bai, K.E. Lee, C. Cheng, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 104, 084 518 (2008)
R. Jakomin, M. de Kersauson, M. El Kurdi, L. Largeau, O. Mauguin, G. Beaudoin, S. Sauvage, R. Ossikovski, G. Ndong, M. Chaigneau, I. Sagnes, P. Boucaud. Appl. Phys. Lett., 98, 091 901 (2011)
S. Strite, D. Biswas, N.S. Kumar, M. Fradkin, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 56, 244 (1990)
R.M. Sieg, S.A. Ringel, S.M. Ting, E.A. Fitzgerald, R.N. Sacks. J. Electron. Mater., 27, 900 (1998)
G. Brammertz, Y. Mols, S. Degroote, V. Motsnyi, M. Leys, G. Borghs, M. Caymax. J. Appl. Phys., 99, 093 514 (2006)
C.K. Chia, J.R. Dong, D.Z. Chi, A. Sridhara, A.S.W. Wong, M. Suryana, G.K. Dalapati, S.J. Chua, S.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 92, 141 905 (2008)
V.A. Volodin, L.V. Sokolov, M.A. Pytyato, N.I. Petikov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Appl. Phys., 115, 053 518 (2014)
В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, А.А. Тонких, А.Н. Яблонский, P. Werner. ФТП, 47, 621 (2013)
M. D'Hondt, Z.-Q. Yu, B. Depreter, C. Sys, I. Moerman, P. Demeester, P. Mijlemans. J. Cryst. Growth, 195, 655 (1998)
A. Freundlich, A. Alemu. Phys. Status Solidi C, 2, 2978 (2005)
R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessete, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Exp., 20, 11 316 (2012)
M.K. Hudait, Y. Zhu, D. Maurya, S. Priya, P.K. Patra, A.W.K. Ma, A. Aphale, I. Macwan. J. Appl. Phys., 113, 134 311 (2013)
M. Dahmen, U. Rau, M. Kawanaka, J. Sone, J.H. Werner. Appl. Phys. Lett., 62, 261 (1993)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. J. Appl. Phys., 109, 123 107 (2011)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 115, 043 512 (2014)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Дёмина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн., 75, 56 (2008)
К.С. Журавлев, С.И. Чикичев, Р. Штаске, Н.А. Якушева. ФТП, 24, 1645 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель