Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 2 » Статья стр. 196
<<<>>>
Обменное усиление g-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP
Криштопенко С.С.1,2, Маремьянин К.В.1,2, Калинин К.П.1,3, Спирин К.Е.1,2,4, Гавриленко В.И.1,2, Байдусь Н. В.2, Звонков Б.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Московский физико-технический институт (факультет общей и прикладной физики), Долгопрудный, Московская обл., Россия
4International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 95 Gajowicka str., 53-421, Wroclaw, Poland
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
PDF версия
Исследовано обменное усиление g-фактора в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом. Из анализа температурной зависимости сопротивления в минимумах осцилляций Шубникова-де Гааза в перпендикулярных магнитных полях до 12 Тл вблизи нечетных факторов заполнения уровней Ландау определены значения эффективного фактора Ланде электронов g* = -(8.6-10.1). Полученные экспериментальные значения сравниваются с теоретическими расчетами g-фактора квазичастиц, выполненных с использованием 8-зонного k· p-гамильтониана с учетом обменного взаимодействия в двумерном электронном газе. Показано, что в условиях сильного перекрытия расщепленных по спину уровней Ландау максимум g-фактора квазичастиц может достигаться вблизи четных значений фактора заполнения, что обусловлено непараболичностью закона дисперсии электронов.
  1. F.F. Fang, P.J. Stiles. Phys. Rev., 174, 823 (1968)
  2. S. Brosig, K. Ensslin, A.G. Jansen, C. Nguyen, B. Brar, M. Thomas, H. Kroemer. Phys. Rev. B, 61, 13 045 (2000)
  3. V.N. Zverev, M. Muhammad, S. Rahman, P. Debray, M. Saglam, J. Sigmund, H.L. Hartnage. J. Appl. Phys., 96, 6353 (2004)
  4. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008) [Semiconductors, 42, 828 (2008)]
  5. С.С. Криштопенко, К.П. Калинин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев, M. Goiran. ФТП, 46, 1186 (2012) [Semiconductors, 46, 1163 (2012)]
  6. T.P. Smith, B.B. Goldberg, P.J. Stiles, M. Heiblum. Phys. Rev. B, 32, 2696 (1985)
  7. E.E. Mendez, H. Ohno, L. Esaki, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 43, 5196 (1991)
  8. E.E. Mendez, J. Nocera, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 47, 13 937 (1993)
  9. E. Gornik, R. Lassnig, G. Strasser, H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Phys. Rev. Lett., 54, 1820 (1985)
  10. J.K. Wang, J.H. Campbell, D.C. Tsui, A.Y. Cho. Phys. Rev. B, 38, 6174 (1988)
  11. J.K. Wang, D.C. Tsui, M. Santos, M. Shayegan. Phys. Rev. B, 45, 4384 (1992)
  12. H.B. Chan, P.I. Glicofridis, R.C. Ashoori, M.R. Melloch. Phys. Rev. Lett., 79, 2867 (1997)
  13. O.E. Dial, R.C. Ashoori, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Nature (London), 448, 176 (2007)
  14. J.F. Janak. Phys. Rev., 178, 1416 (1969)
  15. T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Jpn., 37, 1044 (1974)
  16. M. Califano, T. Chakraborty, P. Pietilainen, C.-M. Hu. Phys. Rev. B, 73, 113 315 (2006)
  17. M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, R.J. Wagner, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 1691 (1993)
  18. A. Ikonnikov, S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, Yu. Sadofyev, Yu. Vasilyev, M. Orlita, W. Knap. J. Low Temp. Phys., 159, 197 (2010)
  19. В.И. Гавриленко, С.С. Криштопенко, M. Goiran. ФТП, 45, 111 (2011) [Semiconductors, 45, 110 (2011)]
  20. К.Е. Спирин, К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев. ФТП, 46, 1424 (2012) [Semiconductors, 46, 1396 (2012)]
  21. S.S. Krishtopenko, A.V. Ikonnikov, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky, Yu.B. Vasilyev. J. Appl. Phys., 111, 093 711 (2012)
  22. G.A. Khodaparast, R.C. Meyer, X.H. Zhang, T. Kasturiarachchi, R.E. Doezema, S.J. Chung, N. Goel, M.B. Santos, Y.J. Wang. Physica E, 20, 386 (2004)
  23. A.M. Gilbertson, W.R. Branford, M. Fearn, L. Buckle, P.D. Buckle, T. Ashley, L.F. Cohen. Phys. Rev. B, 79, 235 333 (2009)
  24. Ю.Б. Васильев, F. Gouider, G. Nachtwei, P.D. Buckle. ФТП 44, 1559 (2010) [Semiconductors, 44, 1511 (2010)]
  25. F. Gouider, Yu.B. Vasilyev, M. Bugar, J. Konemann, P.D. Buckle, G. Nachtwei. Phys. Rev. B, 81, 155 304 (2010)
  26. B. Rupprecht, S. Heedt, H. Hardtdegen, Th. Schapers, Ch. Heyn, M.A. Wilde, D. Grundler. Phys. Rev. B, 87, 035 307 (2013)
  27. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 252 201 (2012)
  28. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105 601 (2013)
  29. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Phys. Rev. B, 87, 155 113 (2013)
  30. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 365 602 (2013)
  31. Deborah L. Vehse, S.G. Hummel, H.M. Cox, F. DeRosa, S.J. Allen, jr. Phys. Rev. B, 33, 5862 (1986)
  32. I.G. Savel'ev, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, A.Y. Shik, G. Remenyi, Gy. Kovacs, B. P\^odork, G. Gombos. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 9025 (1996)
  33. J.C. Portal, R.J. Nicholas, M.A. Brummell, M. Razeghi, M.A. Poisson. Appl. Phys. Lett., 43, 293 (1983)
  34. S. Koch, R.J. Haug, K. v. Klitzing, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 47, 4048 (1993)
  35. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 385 601 (2011)
  36. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Sol. St. Phenomena, 190, 554 (2012)
  37. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 135 601 (2012)
  38. G.R. Johnson, A. Kanaah, B.C. Cavenett, M.S. Skolnick, S.J. Bass. Semicond. Sci. Technol., 2, 182 (1987)
  39. M. Dobers, J.P. Vieren, Y. Guldner, P. Bove, F. Omnes, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 40, 8075 (1989)
  40. B. Kowalski, P. Omling, B.K. Meyer, D.M. Hofmann, C. Wetzel, V. Harlex, F. Scholz, P. Sobkowicz. Phys. Rev. B, 49, 14 786 (1994)
  41. B. Kowalski, P. Omling, B.K. Meyer, D.M. Hofmann, V. Harlex, F. Scholz, P. Sobkowicz. Semicond. Sci. Technol., 11, 1416 (1996)
  42. К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, А.А. Бирюков, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 47, 1497 (2013) [Semiconductors, 47, 1485 (2013)]
  43. C. Wetzel, R. Winkler, M. Drechsler, B.K. Meyer, U. Rossler, J. Scriba, J.P. Kotthaus, V. Harle, F. Scholz. Phys. Rev. B, 53, 1038 (1996)
  44. G. Engels, J. Lange, Th. Schapers, H. Luth. Phys. Rev. B, 55, 1958 (1997)
  45. S.A. Studenikin, G. Granger, A. Kam, A.S. Sachrajda, Z.R. Wasilewski, P.J. Poole. Phys. Rev. B, 86, 115 309 (2012)
  46. A. Isihara, L. Smrcka. J. Phys. C, 19, 6777 (1986)
  47. P.T. Coleridge. Phys. Rev. B, 44, 3793 (1991)
  48. Y.-W. Tan, J. Zhu, H.L. Stormer, L.N. Pfeiffer, K.W. Baldwin, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 94, 016 405 (2005)
  49. N.A. Kabir, Y. Yoon, J.R. Knab, J.-Y. Chen, A.G. Markelz, J.L. Reno, Y. Sadofyev, S. Johnson, Y.-H. Zhang, J.P. Bird. Appl. Phys. Lett., 89, 132 109 (2006)
  50. A. Usher, R.J. Nicholas, J.J. Harris, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 41, 1129 (1990)
  51. P.T. Coleridge, R. Stoner, R. Fletcher. Phys. Rev. B, 39, 1120 (1989)
  52. A. Endo, Y. Iye. J. Phys. Soc. Jpn., 77, 064713 (2008)
  53. T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Jpn., 36, 959 (1974)
  54. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  55. C. Weisbuch, C. Hermann. Sol. St. Commun., 16, 659 (1975)
  56. J. Beerens, C.J. Miner, N. Puetz. Semicond. Sci. Technol., 10, 1233 (1995)
  57. B. Kowalski, H. Linke, P. Omling. Phys. Rev. B, 54, 8551 (1996)
  58. S. Charlebois, J. Beerens, C.J. Miner, N. Puetz. Phys. Rev. B, 54, 13 456 (1996)
  59. S.R.E. Yang, A.H. MacDonald, B. Huckestein. Phys. Rev. Lett., 74, 3229 (1995)
  60. А.А. Грешнов, Г.Г. Зегря. ФТП, 47, 1347 (2007) [Semiconductors, 41, 1329 (2007)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme