"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
Калинина Е.В.1, Лебедев А.А.1, Богданова Е.1, Berenquier B.2, Ottaviani L.2, Виолина Г.Н.3, Скуратов В.А.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2IM2NP, CNRS UMR, Aix Marselle Universite, OPTO-PV, France
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе барьеров Шоттки к 4H-SiC формировались на слаболегированных эпитаксиальных слоях, выращенных методом газотранспортной эпитаксии на промышленных подложках. Диодные структуры облучались при температуре 25oC тяжелыми ионами Хе массой 131 а.е.м. с энергией 167 МэВ флюенсом 6·109 см-2. Проводились сравнительные оптические и электрические исследования исходных и облученных структур в температурном интервале 23-180oC. Особенности изменений фоточувствительности и электрических характеристик детекторных структур объясняются захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, с последующей термодиссоциацией.
  • L.R. Koller. Ultraviolet Radiation ( N.Y., Willey, 1965)
  • Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков , Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 26, 1008 (1992)
  • D.M. Brown, E.T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron Dev., 40, 327 (1993)
  • E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, R33 (2003)
  • А. Полищук. Современная электроника, 4, 20 (2006)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)
  • Sglux --- www.sglux.com
  • EOC Inc. --- www.eoc-inc.com
  • Y. Feng, X. Xiaobin, S. Aslam, Z. Yuegang, D. Franz, J.H. Zhao, M. Weiner. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1315 (2004)
  • И. Артюков. Фотоника, 5, 26 (2008)
  • J.F. Seely, B. Kjornrattanawanich, G.E. Holland. Optics Lett., 30, 3120 (2005)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов. ЖТФ, 78 (1), 86 (2008)
  • J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, jr. Physica B, 185, 453 (1993)
  • N. Watanabe, T. Kimoto, J. Suda. Appl. Phys. Express, 5 (9), 094 101 (2012)
  • B. Berenguier, L. Ottaviani, S. Biondo, M. Lazar, F. Milesi, O. Palais, F. Torregrosa, A. Lyoussi, E. Kalinina, A. Lebedev. MRS Symp. Proc., 1693 (2014)
  • Е. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
  • F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel, M.K. Das, S-H. Ryu, A.R. Agarwal. IEEE Trans. Nucl. Sci., 7, 4575 (2004)
  • D. Prasai, W. John, L. Weixelbaum, O. Kruger, G. Wagner, P. Sperfeld, S. Nowy, D. Friedrich, S. Winter, T. Weiss. J. Mater. Res., 28 (1), 33 (2013)
  • F. Nava, E. Vittone, P. Vanni, G. Verzellesi, P. G. Fuochi, C. Lanzieri, M. Glaser. Nucl. Instrum. Meth. A, 505, 645 (2003)
  • S. Sciortino, F. Hartjes, S. Lagomarsino, F. Nava, M. Brianzi, V. Cindro, C. Lanzieri, M. Moll, P. Vanni. Nucl. Instrum. Meth. A, 552, 138 (2005)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  • А.И. Гирка, А.Ю. Дидык, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин, В.Г. Шмаровоз. Письма ЖТФ, 15, 12 (1989)
  • I. Lhermitte-Sebire, J.L. Chermant, M. Levalois, E. Paumier J. Vicens. Rad. Eff. Def. Sol., 126, 173 (1993)
  • W.J. Weber, L.M. Wang, N.Yu. Nucl. Instrum. Meth. B, 116, 322 (1996)
  • S.J. Zinkle, J.W. Jones, V.A. Skuratov. MRS Symp. Proc., 650, R3.19.1 (2001)
  • Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, А.Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38, 1187 (2004)
  • Е.В. Калинина, В.А. Скуратов, А.А. Ситникова, Е.И. Колесникова, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 41, 392 (2007)
  • Е.В. Калинина, Н.А. Чучвага, Е.В. Богданова, А.М. Стрельчук, Д.Б. Шустов, М.В. Заморянская, В.А. Скуратов. ФТП, 48, 167 (2014)
  • C.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд.-во. физ.-мат. лит., 1965) гл. 15
  • T.V. Blank, Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nucl. Instrum. Meth. A, 509, 109 (2003)
  • T.V. Blank, Yu.A. Goldberg, E.V. Kalinina, O.V. Konstantinov, A.O. Konstantinov, A. Hallen. Semicond. Sci. Technol., 20, 710 (2005)
  • Г.Н. Виолина, Т.С. Крутилева. ФТП, 5, 1130 (1971)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.