Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Представлены результаты разработки технологии МОС-гидридной газофазной эпитаксии и исследований электрофизических параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на основе гетероструктур в системе InP/InGaAsP для спектрального диапазона 0.95-1.2 мкм. Разработана технология МОС-гидридной газофазной эпитаксии получения и легирования твердых растворов InGaAsP вблизи области спинодального распада с шириной запрещенной зоны около 1.0 эВ и изготовлены фотоэлектрические преобразователи 1000-кратного концентрированного солнечного излучения.
- D. Aiken, E. Dons, J. Sang-Soo, N. Miller, F. Newman, P. Patel, J. Spann. IEEE J. Photovolt., 3, 542 (2013)
- J.H. Ermer, R.K. Jines, P. Hebert, P. Pien, R.R. King, D. Bhusari, R. Brandt, O. A1-Taher, C. Ferzer, G.S. Kinsey, N. Karam. IEEE J. Photovolt., 2, 209 (2012)
- Н.А. Калюжный, А.С. Гудовских, В.В. Евстропор, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 44, 1568 (2010)
- A. Barnett, D. Kirkpatrick et al. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 17, 75 (2009)
- А.С. Власов, В.П. Хвостиков, Л.Б. Карлина, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, М.З. Шварц, Н.Х. Тимошина, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Колюжный, Е.П. Марухина, В.М. Андреев. ЖТФ, 83 (7), 106 (2013)
- F. Dimroth, N.D. Tibbits et al. AIP Conf. Proc., 1616, 45 (2014)
- G.B. Stringfellow, C.A. Larsen et al. J. Cryst. Growth, 85, 148 (1987)
- G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy (London, Elsevier, 1999) p. 242
- Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов. ФТП, 34, 1307 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
