Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением

Смагина Ж.В.¹, Двуреченский А.В.^1,2, Селезнев В.А.¹, Кучинская П.А.¹, Армбристер В.А.¹, Зиновьев В.А.¹, Степина Н.П.¹, Зиновьева А.Ф.¹, Ненашев А.В.^1,2, Гутаковский А.К.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 6 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовался рост нанокластеров Ge на структурированной поверхности Si(100), сформированной сочетанием наноимпринт-литографии и последующего облучения ионами Ge⁺. Структурированная поверхность представляла собой систему параллельных канавок шириной 100 нм, повторяющихся с периодом 180 нм. Облучение подложки проводилось при двух температурах: комнатной (холодное облучение) и 400^oC (горячее облучение). Показано, что в процессе эпитаксии (550-700^oC) остаточные радиационные дефекты под канавками подавляют зарождение нанокластеров Ge в канавках. На структурированных подложках с полностью удаленными дефектными областями нанокластеры растут в канавках.

L. Jacak, P. Hawrylak, A. Wojs. Quantum dots (Berlin, Springer-Verlag, 1998)
L.P. Kouwenhoven, D.G. Austing, S. Tarucha. Rep. Progr. Phys., 64, 701 (2001)
Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 13 (1998)
V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan. J. Appl. Phys., 89 (4), 2268 (2001)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2001)
Zh. Zhong, O.G. Schmidt, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 87, 133 111 (2005)
D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, Harun H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7, 3150 (2007)
А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, Н.П. Степина. Патент N 2519865 (2014)
Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, С.И. Нестеров, М.В. Максимов, С.А. Гуревич, J. Seekamp, C.M. Sotomayor Torres. ЖТФ, 75 (8), 80 (2005)
Zh.V. Smagina, N.P. Stepina, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, P.A. Kuchinskaya, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 105, 153 106 (2014)
Zh. Zhong, A. Halilovic, M. Muhlberger, F. Schaffler, G. Bauer. J. Appl. Phys., 93, 6258 (2003)
G. Bauer, F. Schaffler, Phys. Status Solidi A, 203, 3496 (2006)
J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 73 (5), 620 (1998)
J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76 (10), 1675 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель